刘弋波
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 异质结器件的流体动力学模拟
- 该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变Ge<,x>Si<,1-x>中的相关参数.该文对原来的数值方法进...
- 刘弋波
- 关键词：异质结器件流体动力学物理模型半导体器件模拟
- 亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
- 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.
- 刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦
- 关键词：流体动力学阈值电压短沟效应电子温度漂移速度场效应晶体管
- 文献传递
- 纳米级MOSFET的模拟
- 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动...
- 刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦
- 关键词：半导体器件流体动力学量子效应场效应晶体管计算机模拟
- 文献传递
- n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
- 2004年
- 利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
- 杜刚刘弋波孙雷刘晓彦韩汝琦
- 亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
- 2003年
- 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。
- 刘弋波刘恩峰刘晓彦韩汝琦
- 关键词：流体动力学双栅MOSFET阈值电压短沟效应电子温度漂移速度
- 纳米级MOSFET的模拟
- 2003年
- 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。
- 刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦
- 关键词：半导体器件模拟流体动力学量子效应MOSFET
