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刘佳鹏

作品数：121 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 121篇中文专利

领域

  • 35篇电子电信
  • 10篇电气工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 55篇半导体
  • 44篇门极
  • 38篇半导体器件
  • 30篇换流
  • 23篇晶闸管
  • 21篇功率半导体
  • 21篇功率半导体器...
  • 19篇芯片
  • 17篇电流
  • 17篇电路
  • 17篇关断
  • 16篇阴极
  • 15篇发射极
  • 14篇电压
  • 14篇门极换流晶闸...
  • 14篇半导体元件
  • 11篇压接
  • 11篇直流
  • 11篇直流电
  • 9篇通流

机构

  • 121篇清华大学

作者

  • 121篇刘佳鹏
  • 116篇曾嵘
  • 114篇余占清
  • 108篇陈政宇
  • 101篇赵彪
  • 40篇吴锦鹏
  • 29篇屈鲁
  • 12篇庄池杰
  • 9篇吕纲
  • 7篇张翔宇
  • 5篇张良
  • 5篇张松
  • 3篇杨晨
  • 2篇路英杰
  • 2篇张龙
  • 2篇黄瑜珑
  • 2篇陆秋海
  • 2篇李晓钊
  • 1篇王鹏
  • 1篇马建业

年份

  • 13篇2024
  • 23篇2023
  • 17篇2022
  • 15篇2021
  • 28篇2020
  • 18篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 121 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件热分布的测试装置
本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置，包括：外部测试回路、压接组件和红外热像仪；所述外部测试回路与压接组件电性连接；所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方；所述外部测试回路，用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬...
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具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管
本实用新型提供了一种具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门...
曾嵘刘佳鹏周文鹏赵彪余占清陈政宇
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一种具有缓冲层结构的半导体器件
本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区...
曾嵘任春频刘佳鹏周文鹏陈政宇赵彪余占清
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一种功率半导体器件
本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括多个第一电引线、多个第二电引线、第一导电终端、第二导电终端、驱动控制板和第一电极，其中，所述多个第一电引线的一端与功率半导体器件的各个阴极单元连接，另一端延伸出功率半导体器件与第一...
陈政宇周文鹏曾嵘余占清赵彪刘佳鹏
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可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法
本发明涉及可关断器件与晶闸管串联换流器的缓冲回路及其控制方法。其中缓冲回路包括多个相同的桥臂，每个桥臂由晶闸管阀串和可关断阀串串联而成；所述可关断阀串用于延长晶闸管阀串恢复时间；可关断阀串包括相互并联的第一支路、第二支路...
余占清曾嵘许超群王宗泽张松陈政宇吴锦鹏刘佳鹏赵彪屈鲁任春频庄池杰
具有保护功能的半导体器件测试装置及方法
本发明属于半导体器件测试技术领域，公开一种具有保护功能的半导体器件测试装置及方法，半导体器件测试装置包括：测试回路单元，电性连接于被测器件单元形成保护支路；采集保护单元，采集所述被测器件单元的至少一电性能参数信号，所述采...
赵彪任春频曾嵘刘佳鹏陈政宇余占清
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一种用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置
本实用新型提供一种用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置，包括加热器、压接组件和被测半导体芯片；所述被测半导体芯片设置在压接组件内，所述压接组件放置在加热器内，所述加热器上设置测试引出孔，所述被测半导体芯片通过所述...
曾嵘周文鹏余占清赵彪陈政宇刘佳鹏
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一种功率半导体器件、功率半导体器件的控制方法及系统
本公开实施例涉及功率半导体器件领域，公开了一种功率半导体器件、功率半导体器件的控制方法及系统，所述方法包括：包括连接于功率半导体器件门极和阴极之间的开通电路、电感辅助换流电路、负压维持电路、电流检测电路和控制电路；所述开...
曾嵘吴锦鹏陈政宇尚杰刘佳鹏余占清赵彪庄池杰
功率半导体器件及其制作方法
本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法，该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层；所述功率半导体器件包括有源区和终端区；有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述...
曾嵘吴锦鹏任春频刘佳鹏陈政宇余占清屈鲁
一种IGCT器件的门极电流及关断特性测量方法
本发明公开了一种IGCT器件的门极电流及关断特性测量方法，其中，所述门极电流测量方法包括，将一个或多个第一罗氏线圈传感器穿过IGCT器件门极换流回路中并联电气元件的漏极或源极，形成第一测量回路；基于所述第一测量回路，确定...
曾嵘刘佳鹏周文鹏赵彪余占清陈政宇
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