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马杰
作品数:
61
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
化学工程
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合作作者
李亮
中国电子科技集团第十三研究所
梁东升
中国电子科技集团第十三研究所
崔玉兴
中国电子科技集团第十三研究所
高渊
中国电子科技集团第十三研究所
商庆杰
中国电子科技集团第十三研究所
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作者
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马杰
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李亮
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梁东升
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崔玉兴
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高渊
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商庆杰
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2013
3篇
2012
1篇
2010
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碳化硅器件终端结构及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层,通过将P型终...
王永维
马杰
吕树海
王国清
张力江
文献传递
谐振器及半导体器件
本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括:衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体由...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
崔玉兴
杨志
李宏军
文献传递
高功率、高效率GaN MMIC的研究
本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60%,利用该器件采用高工作电压,多偏置点提取器件参数技术,建立了基于M...
张志国
王民娟
崔玉兴
马杰
李静强
宋建博
冯志红
付兴昌
蔡树军
关键词:
电路设计
薄膜体声谐振器和半导体器件
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征,所述多个横向特征包括多个台阶结构...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
丁现朋
冯利东
商庆杰
钱丽勋
李丽
体声波谐振器和半导体器件
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体;...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
丁现朋
冯利东
商庆杰
钱丽勋
李丽
文献传递
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层;和桥部,设置在...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
丁现朋
冯利东
商庆杰
钱丽勋
李丽
谐振器和半导体器件
本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体包括位于...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
文献传递
谐振器和滤波器
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体包括位于所述...
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
文献传递
谐振器、晶片及谐振器制造方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对;所述上电极层和下电极层中的至少一者包括:电极...
田秀伟
李亮
吕鑫
梁东升
刘青林
马杰
高渊
丁现朋
冯利东
崔玉兴
张力江
刘相伍
杨志
商庆杰
李宏军
李丽
卜爱民
王强
付兴昌
微带电路调试方法及调节模块
本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块,包括:制作调节模块,调节模块为金属块状物,金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一,组装微波测试系统,将一个或多个调节模块放置在微带电路上;调试:借助绝缘夹将调节模块...
默江辉
王川宝
马杰
张力江
崔玉兴
高永辉
徐守利
蔡树军
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