陶凯
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：美国国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性被引量：3
- 2005年
- 利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理。由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善。这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路。
- 陶凯郭国超孔蔚然韩瑞津邹世昌
- 利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化被引量：3
- 2006年
- 利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0·76nm降到了0·16nm,49点厚度值的标准偏差从0·25nm降到了0·04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4·3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.
- 陶凯孙震海孙凌郭国超
- 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜被引量：2
- 2006年
- 利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜。卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在。X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化。透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成。电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态。实验为HfO2作为高尼电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法。
- 陶凯俞跃辉郑智宏邹世昌
- 关键词：离子束增强沉积高K电介质
- 先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化
- 集成电路制造是一门以微电子学为基础、涉及众多领域的新兴交叉学科。如何有效地对上千道复杂工序进行整合与优化，从而保证集成电路芯片的顺利生产是一个学术价值与市场价值兼备的课题。
本论文提出“利用模型指导整合与优化”的新...
- 陶凯
- 用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
- 采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结...
- 邢玉梅陶凯俞跃辉宋朝瑞郑志宏
- 关键词：SOIX射线衍射技术
- 文献传递
- 在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜被引量：4
- 2004年
- 用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。
- 邢玉梅陶凯俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身
- 关键词：SOI材料氧化铪
- 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备被引量：2
- 2005年
- 利用低剂量、低能量的SIMOX(separationbyimplantedoxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmissionelectronmicroscope)观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷.该结果为DSOI(dain/sourceoninsulator)器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础.
- 陶凯董业民易万兵王曦邹世昌
- 关键词：DSOISIMOX埋氧层
