陈雨生
- 作品数：98 被引量：419H指数：13
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 快上升前沿电磁脉冲的孔缝耦合效应数值研究被引量：16
- 2000年
- 本文利用时域有限差分 (FD- TD)法研究快上升前沿电磁脉冲 (FREMP)对目标腔体的孔缝耦合效应。并将计算结果与核电磁脉冲 (NEMP)的耦合结果进行比对。研究表明 :对于较小尺寸的目标腔体 ,在孔缝尺寸也较小的情况下 ,FREMP相对于 NEMP更容易耦合进入目标腔体 ,且更容易引起孔腔谐振。
- 刘顺坤傅君眉陈雨生邱爱慈祝敏
- 关键词：时域有限差分法电磁脉冲
- 空核爆电磁脉冲二维数值模拟研究
- 本文运用时域有限差分法(FDTD)模拟了中空(爆高10km-50km)核爆炸时,γ射线与周围空气分子相互作用产生康普顿电流进而激励电磁脉冲(EMP)这一物理过程。给出计算结果及分析。
- 高春霞陈雨生王良厚
- 关键词：电磁脉冲核爆炸FDTD当量
- 文献传递
- 有尾焰动力飞行体电磁脉冲效应数值分析被引量：1
- 1999年
- 利用时域有限差分方法分析了动力段飞行体的等离子体高温尾焰对飞行体电磁脉冲效应的影响。计算结果表明：尾焰的存在极大地改变了飞行体蒙皮上感应电流密度的波形及分布；带尾焰飞行体感应皮电流密度不同于无尾焰时的情况；飞行体蒙皮感应电流密度的波形为衰减振铃信号波形。
- 刘顺坤陈雨生傅君眉汪文秉周辉
- 关键词：等离子体飞行体尾焰
- 二次包封CMOS器件电子辐照实验研究被引量：4
- 2003年
- 对CMOS器件54HCT00进行了复合材料的二次包封,研制了试验电路板,在器件加电工作下进行电子辐照试验的动态测试.结果表明,二次封装的器件抗总剂量的能力提高了1-2个数量级,得到了预期的数据和结果.这些工作为商用器件的空间开拓使用提供了很好的途径.
- 卫宁郭红霞于伦正周辉何宝平陈雨生党军
- 关键词：CMOS器件电离辐射复合材料
- 电子元器件屏蔽技术的理论与实验研究
- 本文首先介绍了美国SEI公司器件封装屏蔽技术的现状;分析了屏蔽技术所应用的辐射环境,空间辐射环境的电子、人为辐射环境的X射线可以采用屏蔽技术提高器件的抗辐射能力.介绍了我们目前在屏蔽技术方面的理论和实验工作,并给出了在我...
- 郭红霞陈雨生韩福斌林东生何宝平周辉龚建成
- 关键词：屏蔽电子元器件
- 文献传递
- 单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算被引量：3
- 2001年
- 根据光的吸收机理 ,分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点 ,探讨了脉冲激光单粒子效应的 Monte Carlo计算模拟途径。在只考虑光电效应的简化下 ,得到存储器硅片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临界电荷的计算关系式 ,进而给出该硅片的翻转截面的计算公式。在给定了存储器硅片的临界电荷的情况下 ,对入射脉冲激光能量阈值和单粒子翻转截面进行了计算。
- 李华陈雨生
- 关键词：单粒子翻转蒙特卡罗模拟储存器
- 连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏被引量：14
- 2000年
- 采用数值方法 ,研究了半导体 In Sb材料受连续波激光辐照的熔融阈值 ,讨论了 In Sb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系 ,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响 。
- 强希文刘峰张建泉陈雨生黄流兴
- 关键词：激光辐照效应锑化铟连续波激光
- MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟
- 本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通过输入不同粒子的LET(Line Energy Transmi...
- 郭红霞张义门陈雨生周辉肖伟坚龚仁喜贺朝会龚建成
- 关键词：单粒子翻转漏斗模型
- 文献传递
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探被引量：27
- 2004年
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 .
- 贺朝会耿斌何宝平姚育娟李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：大规模集成电路半导体器件总剂量效应功耗电流静态随机存取存储器闪速存储器
- MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用被引量：5
- 2003年
- 简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.
- 郭红霞陈雨生周辉张义门龚仁喜吕红亮
- 关键词：电离辐照效应总剂量效应剂量率效应金属-氧化物-半导体器件
