陈春花
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：泉州师范学院物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：泉州市优秀人才培养专项经费资助项目泉州市科技计划项目福建省教育厅A类人文社科/科技研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能
- 2013年
- 采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x]（x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm）非晶多层薄膜,X射线衍射仪（XRD）显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
- 王锋陈春花陈瑞美
- 关键词：CO磁性半导体自旋极化
