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陈安

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇势垒
  • 2篇隧穿
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量辐照
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压漂移
  • 2篇环形电极
  • 2篇共振隧穿
  • 2篇共振隧穿二极...
  • 2篇二极管
  • 2篇MOS场效应...
  • 2篇掺杂
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应管
  • 2篇INGAN
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体波
  • 1篇电磁辐射
  • 1篇钝化层

机构

  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 6篇陈安
  • 2篇张丹
  • 2篇田言
  • 2篇陈树鹏
  • 2篇陈浩然
  • 2篇李月
  • 2篇杨林安
  • 2篇刘红侠
  • 2篇郝跃

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2007
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I-V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)...
刘红侠张丹陈树鹏陈安侯文煜
文献传递
非共振等离子体波THz器件响应研究
伴随着人们对于电磁辐射应用越来越广泛，THz辐射由于其特殊性在近年来越来越受到研究人员的关注。研究人对于作为THz技术重点的THz辐射源以及探测器件更高的性能追求从未停止。由于半导体器件制作工艺成熟且易于集成，因而以半导...
陈安
关键词：流体力学方程电磁辐射
基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm？MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)...
刘红侠张丹陈树鹏陈安侯文煜
文献传递
具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
文献传递
网管系统中TL1北向接口的设计与实现
随着我国通信技术的迅速发展，通信网络也不断地扩大，设备的种类和数量增多，整个网络的复杂性日益提高。为了最大限度的利用电信网络资源，提高网络运行的质量和效率，降低电信运营的管理成本，急需建设综合网络管理系统，使得企业可以获...
陈安
关键词：通信网络网络管理系统
文献传递
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