公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

多晶Si_(0.9654)Mn_(0.0346):B薄膜的磁性研究: 2008年; 利用磁控溅射和快速热处理的方法制备了Mn,B共掺的多晶硅薄膜(Si0.9654Mn0.0346:B).磁性和结构研究发现薄膜有两个铁磁相.低温铁磁相来源于杂相Mn4Si7,高温铁磁相(居里温度TC^250 K)是由Mn原子掺杂进入Si晶格导致.晶化后的薄膜利用射频等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)进行短暂(4 min)的氢化处理后发现,薄膜的微结构没有发生变化而饱和磁化强度却随着载流子浓度的增大而增大.样品的饱和磁化强度和载流子浓度密切相关为验证在硅基磁半导体中磁性是以空穴为媒介的这一理论提供了有力的证据.; 刘兴翀陆智海路忠林张凤鸣都有为; 关键词：磁性半导体硅氢化

PECVD方法制备Zn<,1-x>Co<,x>O薄膜稀磁半导体的研究: 近几年来，稀磁半导体由于其在自旋电子器件中的应用前景而受到很大的关注。在传统的Ⅲ—Ⅴ和Ⅱ—Ⅵ半导体材料中，ZnO和GaN特别受到关注。这是因为在2000年，Dietl等人理论预言，如果过渡族金属离子Mn2+能够掺入ZnO...; 陆智海; 关键词：半导体材料稀磁半导体氧化锌薄膜

全选清除导出

共1页<1>

陆智海