郝国强 作品数:7 被引量:52 H指数:4 供职机构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 航空宇航科学技术 更多>>
气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文) 被引量:4 2006年 从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善. 郝国强 张永刚 顾溢 李爱珍 朱诚关键词:光电子学 光电探测器 温度特性 InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究 被引量:27 2004年 从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。 郝国强 张永刚 刘天东 李爱珍关键词:光电探测器 暗电流 INGAAS 化合物半导体 高速光电探测器 张永刚 李爱珍 刘天东 刘家洲 郝国强 顾溢 李存才 胡建 经5年来的不断努力,该课题的预定目标均已达到,并扩展了相关研究内容,在波长扩展探测器等方面取得了突破,全面超指标完成了预定计划。主要工作包括:设计了与LNA结构兼容的高速光电探测器结构,包括与HBT兼容的PIN结构及和H...关键词:关键词:光电探测器 InGaAs红外探测器器件与物理研究 本论文对InGaAs探测器的器件表征及器件性能进行了研究,主要分析了影响探测器暗电流及RoA的各种噪声机制,取得了如下结果:
1.从理论与实验两个方面对In0.53Ga0.47As探测器的I-V特性进行了分析,结果... 郝国强关键词:暗电流 ROA 文献传递 短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制 被引量:13 2006年 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级. 张永刚 顾溢 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东关键词:光伏探测器 短波红外 INGAAS 气态源分子束外延 面向航天遥感应用的短波红外InGaAs光电探测器外延材料 张永刚 顾溢 李爱珍 王凯 李成 李好斯白音 李耀耀 田招兵 郝国强 方祥 曹远迎 周立 刘克辉 李存才 胡建 短波红外(1-3μm)波段因其高透过、高衬度等突出特点成为航天遥感的重要波段,也是物质检测等应用的优选波段。中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室针对该方面迫切需求以及及国际上对航天产品严格封锁禁运的...关键词:关键词:光电探测器 航天遥感 In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析 被引量:9 2005年 从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。 郝国强 张永刚 顾溢 刘天东 李爱珍关键词:光电探测器 暗电流 探测率 温度特性