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赵瑞东

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇TI
  • 3篇AU
  • 3篇MO
  • 2篇砷化镓
  • 2篇N-GAAS
  • 1篇晶体管
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇MESFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇N-
  • 1篇GAAS

机构

  • 4篇北京工业大学
  • 1篇电子部

作者

  • 4篇赵瑞东
  • 3篇李志国
  • 3篇程尧海
  • 3篇李学信
  • 3篇郭伟玲
  • 2篇吉元
  • 2篇孙英华
  • 1篇张斌
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1992
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
n-GAAS上Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触可靠性的研究
赵瑞东
GaAs　MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
1996年
本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊，有明显的互扩散和反应发生．
李志国赵瑞东孙英华吉元程尧海郭伟玲王重李学信
关键词：MESFET砷化镓肖特基势垒场效应晶体管
n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究
1996年
对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。
李志国赵瑞东程尧海吉元郭伟玲孙英华李学信张斌吕振中
关键词：砷化镓肖特基势垒
n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究被引量：3
1995年
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。
李志国赵瑞东李学信郭伟玲程尧海张斌
关键词：化合物半导体半导体器件
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