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谭悦

作品数：6 被引量：24H指数：3
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 1篇等离子体显示
  • 1篇等离子体显示...
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇运放
  • 1篇运算放大器
  • 1篇杂质对
  • 1篇伸缩性
  • 1篇通讯系统
  • 1篇无线
  • 1篇无线通讯
  • 1篇无线通讯系统
  • 1篇显示板
  • 1篇离子注入
  • 1篇集成运放
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机辅助设...

机构

  • 6篇东南大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 6篇谭悦
  • 2篇蔡世俊
  • 2篇孙伟锋
  • 2篇吴建辉
  • 2篇时龙兴
  • 2篇陆生礼
  • 1篇易扬波
  • 1篇朱春翔

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
用于无线通讯系统的SOI射频集成功率放大器的研制
该文研究了一种新型的用于无线通讯系统射频功率放大器的SOI(Silicon-On-Insulator:绝缘体上的薄单晶硅薄)LDMOS(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semico...
谭悦
关键词：无线通讯
文献传递
CMOS集成运放的伸缩性版图设计被引量：4
1995年
根据基本ＣＭＯＳ集成运算放大器的电路特点及设计指标，编制了ＰＳＰＩＣＥ电路通用分析源程序，由模拟结果推导出各模拟参量与其决定因素之间的关系，进而确定了由设计指标决定的版图几何尺寸和工艺参数，提出了伸缩性版图设计的思想，建立了从性能指标到版图设计的优化路径，为实现模拟集成电路版图的自动设计提供了初步的步骤和程序。
谭悦蔡世俊
关键词：集成电路运算放大器伸缩性CMOS版图设计
多晶硅栅离子注入杂质对MOS器件亚阈特性的影响被引量：1
1998年
通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。
谭悦朱春翔
关键词：多晶硅栅MOS器件集成电路
PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究被引量：10
2002年
文章提出了一种适合 PDP选址驱动芯片的 HV- NDMOS(High Voltage N- channel Lat-eral Double- diffused MOSFET)工艺结构 ,并通过二维 MEDICI[1] 软件对该结构进行模拟 ,论证了其独特的优越性——防穿通。同时提出了 HV- PMOS(High Voltage P- channel MOSFET)的厚栅氧刻蚀方法——多晶硅栅自对准刻蚀。
陆生礼孙伟锋谭悦吴建辉时龙兴
关键词：等离子体显示板集成电路
PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计被引量：9
2002年
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m
陆生礼孙伟锋易扬波谭悦吴建辉时龙兴
集成电路布局规划技术被引量：1
1997年
介绍了集成电路布局规划的重要性及其实现方法。提出了诸如外观比率调整的新方法、电源及信号线设计和工艺兼容设计原则等观点。
谭悦蔡世俊
关键词：集成电路计算机辅助设计布局规划
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