诸玉坤
- 作品数：8 被引量：43H指数：4
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
- 研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
- 周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳
- 关键词：场发射
- 涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究被引量：13
- 2002年
- 碳纳米管（CNT）作为场发射阴极（FEC）具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。
- 冯涛柳襄怀王曦李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：场发射阴极碳纳米管FEC
- 类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
- 2002年
- 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
- 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
- 高sp^3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料被引量：2
- 1999年
- 采用真空磁过滤弧沉积的方法 ,制备了高sp3 键含量 ( >90 % )的无氢非晶金刚石薄膜 .研究表明 ,金刚石薄膜具有优异的电子场发射性能 .在电场强度为5V/μm时 ,可产生 5 .4μA的发射电流 .在一定的电场下 ,电流密度可达到几个mA/cm2 .在发射电流为 5 0 μA的情况下 ,薄膜连续工作数天 ,电流的偏差不超过5 % ,表现出电子发射的稳定性 .同时还观察到了大面积的电子发射现象 .由于薄膜微观表面非常平整 ,所以不存在场增强几何因子的作用 ,利用F N理论可计算得到其表面功函数不大于 0 .0 5eV .由于其非晶组织的均匀性 ,使其表面各个部位具有较为一致的功函数 ,因而造成薄膜均匀、稳定的电子发射 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：金刚石薄膜显示器CVD
- ZnO：Zn荧光薄膜的制备和表征及FED器件样管的制作
- 离子束溅射的方法制备了用于场发射平板显示器（FED）的ZnO：Zn荧光薄膜，对所得薄膜进行了热处理，并对薄膜的成分、结构和荧光特性进行了表征。结果表明，适当的热处理温度和气氛可以提高ZnO：Zn荧光薄膜的荧光强度。此外，...
- 李炜赵俊茅东升张福民郑志宏王曦柳襄怀金松诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：荧光薄膜场发射
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：4
- 1998年
- 综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳
- 关键词：金刚石
- 离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：9
- 2001年
- 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。
- 李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：荧光薄膜光致发光场发射显示器离子束溅射
