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胡亚华

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:嘉兴学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电离
  • 2篇散射截面
  • 2篇碰撞电离
  • 1篇原子
  • 1篇质子
  • 1篇微分散射截面
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇PL
  • 1篇XPS
  • 1篇H^+
  • 1篇程函近似
  • 1篇初态
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 3篇嘉兴学院
  • 1篇北京应用物理...
  • 1篇中国科学院等...

作者

  • 3篇胡亚华
  • 2篇叶丹丹
  • 1篇刘玲
  • 1篇刘晓菊
  • 1篇祁月盈
  • 1篇张勇

传媒

  • 2篇嘉兴学院学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究
2010年
采用共溅射磁控溅射方法,以Al+Er为靶材,通过Er和Al靶的面积比来控制Er在AlN中的含量,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜.XRD分析结果表明,样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量被控制在1atm%左右,氧不可避免.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征.其中,尖荧光峰谱源于Er^(3+)的4f轨道直接激发跃迁;而宽谱则可能与Er^(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.
胡亚华张勇
关键词:XPSPL
质子与Be原子的碰撞电离过程研究
2012年
本文采用初态程函近似-连续扭曲波方法研究了质子和Be原子的碰撞电离过程:计算了入射离子能量从50keV/u到10000keV/u时一阶和二阶微分散射截面随电离电子能量和角度的变化规律,并对各种碰撞电离机理进行了详细讨论;计算所得总截面随入射离子能量的变化规律也与已有数据一致;另外采用FAC代码研究了Be原子的内壳层电子(1s)被电离后的俄歇过程.
胡亚华叶丹丹祁月盈刘晓菊刘玲
关键词:散射截面
H^+与B原子碰撞电离微分散射截面的研究
2011年
利用初态程函近似-连续扭曲波方法(CDW-EIS)研究了质子与B原子的碰撞电离过程。计算了入射粒子能量分别为100keV/u,1 000keV/u,10 000keV/u情况下的1s、2s、2p分波电离二阶微分截面及其总的二阶微分散射截面。并利用计算结果详细讨论和分析了软碰撞(SC)、电子俘获到入射粒子连续态(ECC)和两体相遇碰撞(BE)的碰撞电离机理,并对各分波二阶微分散射截面进行了比较。
叶丹丹胡亚华
共1页<1>
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