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翟继卫

作品数：442 被引量：356H指数：11
供职机构：同济大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 364篇专利
  • 68篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 61篇化学工程
  • 47篇一般工业技术
  • 25篇理学
  • 19篇电子电信
  • 15篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇机械工程
  • 3篇文化科学
  • 1篇经济管理

主题

  • 182篇陶瓷
  • 104篇钛酸
  • 93篇铁电
  • 84篇陶瓷材料
  • 72篇储能
  • 70篇压电
  • 55篇无铅
  • 54篇溶胶
  • 54篇钛酸锶
  • 51篇介电
  • 50篇电性能
  • 48篇钛酸锶钡
  • 44篇铁电薄膜
  • 41篇玻璃陶瓷
  • 39篇钛酸铋
  • 38篇压电陶瓷
  • 35篇存储器
  • 34篇相变存储
  • 33篇钛酸铋钠
  • 32篇相变存储器

机构

  • 415篇同济大学
  • 26篇西安交通大学
  • 11篇中国科学院
  • 3篇新疆大学
  • 2篇河南工程学院
  • 2篇清华大学
  • 2篇中山大学
  • 2篇贵州振华红云...
  • 1篇第二炮兵工程...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇里昂第一大学
  • 1篇中国计量学院
  • 1篇内蒙古科技大...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇贵州师范学院
  • 1篇江苏理工学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇贵州振华电子...

作者

  • 442篇翟继卫
  • 218篇沈波
  • 51篇姚熹
  • 29篇张良莹
  • 22篇丑修建
  • 19篇李朋
  • 14篇张景基
  • 13篇尚飞
  • 13篇吴卫华
  • 12篇刘星
  • 12篇白王峰
  • 11篇汪昌州
  • 11篇李峰
  • 11篇刘少辉
  • 10篇徐金宝
  • 10篇胡益丰
  • 10篇李玲玉
  • 10篇刘金花
  • 10篇王海涛
  • 9篇周歧刚

传媒

  • 16篇硅酸盐学报
  • 13篇功能材料
  • 6篇无机材料学报
  • 5篇物理学报
  • 4篇材料导报
  • 3篇电子元件与材...
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇半导体光电
  • 2篇压电与声光
  • 2篇新疆大学学报...
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇光学学报
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇测控技术
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 16篇2024
  • 16篇2023
  • 18篇2022
  • 38篇2021
  • 15篇2020
  • 28篇2019
  • 18篇2018
  • 23篇2017
  • 19篇2016
  • 18篇2015
  • 21篇2014
  • 19篇2013
  • 32篇2012
  • 20篇2011
  • 18篇2010
  • 33篇2009
  • 17篇2008
  • 21篇2007
  • 9篇2006
  • 2篇2005
共 442 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究被引量：5
2004年
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。
胡丹翟继卫张良莹姚熹
关键词：SOL-GEL烧结温度介电性能
低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子材料与器件领域，具体涉及一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法。本发明所述的低温烧结微波陶瓷材料，各组分及其摩尔百分比为：Ba<Sub>(1－x)</Sub> Sr<Sub>x</Sub>TiO<Sub>3<...
翟继卫姜海涛沈波
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工作温区可调且热释电系数较大的反铁电薄膜及其制备
本发明公开了一种工作温区可调且热释电系数较大的反铁电薄膜及其制备方法和应用。本发明所述的作为热释电材料的反铁电薄膜(Pb，Nb)(Zr，Sn，Ti)O<Sub>3</Sub>，其采用溶胶凝胶法配制，前驱体溶液的溶质为醋酸...
翟继卫
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一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用，由Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>薄膜和Ga<Sub>30</Sub>Sb<Sub>70</Sub>薄膜交替排列成堆叠薄膜结构，Ge<Sub...
翟继卫何子芳刘瑞蕊
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多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用，薄膜材料的化学组成为InTe(a)‑X(a)，其中a为单层InTe薄膜和单层X薄膜的厚度，在SiO<Sub>2</Sub>/Si(100)衬底上，以InTe和...
翟继卫刘瑞蕊沈波何子芳
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高储能密度的钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及制备和应用
本发明涉及一种高储能密度的钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及制备和应用，该玻璃陶瓷储能材料的化学成分符合化学通式100wt％(Ba<Sub>x</Sub>Sr<Sub>1-x</Sub>TiO<Sub>3</Sub>-aAl<...
沈波汪金文翟继卫
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一种具有宽温区高电卡效应和低场高电卡强度的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种具有宽温区高电卡效应和高电卡强度的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法，其中陶瓷材料符合化学通式(Bi<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.44‑x</Sub>K<Sub>0.06+x</Sub>...
沈波李国辉翟继卫
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钛酸钡粉体的制备方法
本发明涉及电子材料与器件领域，具体涉及一种钛酸钡粉体的制备方法。本发明所述的制备片状BaTiO<Sub>3</Sub>粉体的方法包括如下步骤：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和TiO<Sub>2<...
丁西亚沈波翟继卫付芳
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一种介电可调的低温共烧陶瓷材料及其制备方法
本发明属于电子材料与器件技术领域，具体涉及一种烧结温度在950℃以下的陶瓷材料及其制备方法。本发明所述的低温烧结陶瓷材料，各组分及其质量百分比为：Ba<Sub>(1－x)</Sub>Sr<Sub>x</Sub>TiO<S...
翟继卫丑修建
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一种无铅电致伸缩陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及电致伸缩陶瓷领域，具体公开了一种环境友好型无铅电致伸缩陶瓷材料及其制备方法，无铅电致伸缩陶瓷材料的化学组成为(1-<I>y</I>)[(1-<I>x</I>)(Bi<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0....
翟继卫郝继功沈波
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