王洪涛
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信哲学宗教自动化与计算机技术更多>>
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
- 2011年
- 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
- 杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
- 关键词：沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
- 新型Si基FinFET和SiGe MOSFET的模拟计算分析
- 目前，MOSFET的特征尺寸已经进入超深亚微米技术领域，传统的平面MOSFET结构将面临很多困难。如短沟道效应将变得非常严重，另外在较低的阈值电压下，既要获得较高的驱动电流，又要维持较小的关态漏电流，这也是一个严峻的挑战...
- 王洪涛
- 关键词：短沟道效应P-MOSFET
- 短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析被引量：1
- 2010年
- 本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟。计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阈值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合。
- 王洪涛王茺胡伟达杨洲熊飞杨宇
- 关键词：亚阈值电流解析模型数值模拟
- 深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析
- 2009年
- 利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况。通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应。在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中,并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流。与传统的体硅CMOS结构有所不同,拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差,反而提高了其电学性能。
- 王洪涛王茺李亮胡伟达周庆杨宇
- 关键词：短沟道效应
- 我国老年关怀与政府责任伦理
- 人口老龄化是我国在构建社会主义和谐社会的过程中必须面对的现实问题。直面和解决老龄化问题，是中国政府不可推卸的重要责任。
本论文从责任伦理视角出发，融合传统伦理学相关理论，以政府责任伦理为中心对中国老龄化问题及其...
- 王洪涛
- 关键词：老龄化政府责任责任伦理
- 文献传递
