檀柏梅
- 作品数：161 被引量：328H指数：11
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 专用复合型表面活性剂在微电子技术中的应用
- FA/O活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛，尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料。本文主要对表面活性剂的作用机...
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- 关键词：硅片表面活性剂微电子技术
- 文献传递
- 铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法
- 本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净，水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后，马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，...
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- 硼掺杂浓度对金刚石薄膜电极的影响
- 2013年
- 金刚石由于其独特的物理和化学性质,使其成为电极材料的首选。通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽片上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过掺入硼元素在金刚石带隙间引入杂质能级,改变了电极的电学特性,同时硼替位碳原子改变了金刚石的结构。通过原子力显微镜(AFM)和循环伏安法(CV)分析讨论了硼掺杂浓度对BDD电极的表面形貌和电化学特性的影响。结果表明,优化硼掺杂浓度可以使薄膜有好的致密性和稳定的电化学性质。硼掺杂浓度优化后制备的BDD电极电化学窗口可达3.8 V。
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- 关键词：硼掺杂
- IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：7
- 2019年
- 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。
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- 关键词：结构性损伤电偶腐蚀
- ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化被引量：2
- 2004年
- 以高浓度纳米 Si O2 水溶胶为磨料 ,H2 O2 为氧化剂的碱性抛光液 ,研究了适用于终抛铜 /钽的 CMP抛光液 .通过调节 p H值 ,降低抛光液的氧化 ,增强有机碱的作用 ,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率 ,得到了很好的铜 /钽抛光选择性 .
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- 关键词：多层布线化学机械抛光阻挡层抛光液
- 超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液
- 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分重量%是：SiO<Sub>2</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZrO、MgO的水溶胶...
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- 铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展被引量：2
- 2020年
- 在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用机理及清洗效果。重点探讨了在清洗液中加入单一表面活性剂的作用机理和对颗粒的去除效果。对加入不同类型的表面活性剂复配后对颗粒的去除及其作用机理进行了分析和预测。相比于在清洗液中加入单一的表面活性剂,使用不同类型的表面活性剂按合适比例复配后会产生协同效应,因此能获得更好的颗粒去除效果。
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- 关键词：表面活性剂表面活性剂复配
- 硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法
- 本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO<Sub>2</Sub>水溶胶作为磨料，用pH调节剂乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)调整上述溶液，使pH值在9-13...
- 刘玉岭檀柏梅
- 文献传递
- 锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响被引量：2
- 2001年
- 利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．
- 张维连孙军生檀柏梅李嘉席
- 关键词：热退火机械强度直拉单晶硅锗
- 蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法
- 本发明涉及一种蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液，其特征是：其主要组成成分按重量％计，包括重量浓度2-50wt％以及粒径15-150nm的纳米SiO<Sub>2</Sub>水溶胶10-50％，混合磨料0.1-3％、活性剂0....
- 牛新环王娟高宝红王如檀柏梅刘玉岭
- 文献传递
