公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响: 2005年; 为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火。测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应。结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响。在6.4kA·m–1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%。; 谌贵辉杨国宁张万里彭斌蒋洪川; 关键词：电子技术多层膜磁控溅射退火处理

第三代稀土蓄光型发光材料的研究进展被引量：9: 2005年; 介绍了第三代稀土蓄光型发光材料当前流行的几种制备方法,并探讨其发光颜色、余辉强度及时间和发光蓄光机理,对其应用前景进行了展望。; 张永强杨仕清张万里蒋洪川杨国宁; 关键词：稀土长余辉发光材料

非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应被引量：5: 2004年; 磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用,这引起了人们的广泛研究兴趣。我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并在真空中退火以获得较好的磁弹性,接着在200kHz～10MHz范围内测试了薄膜的应力阻抗效应。结果表明,退火可增强磁弹性薄膜的应力阻抗效应,并且FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层薄膜比FeCoSiB薄膜具有更高的应力阻抗效应。; 杨国宁张万里彭斌蒋洪川张文旭易朋

FeCoSiB非晶磁弹性薄膜材料及应用研究: FeCoSiB 薄膜由于具有优良的磁弹性能而受到了人们的广泛关注。本文针对FeCoSiB 薄膜材料的应力敏感特性,从理论和实验上研究了FeCoSiB 薄膜材料的应力阻抗效应,并研究了FeCoSiB 薄膜在磁场可调平面薄膜...; 杨国宁; 文献传递

FeCoSiB单层和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层磁弹性膜应力阻抗性能研究被引量：12: 2004年; 用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB单层膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁场织构。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试了薄膜的应力阻抗(SI)效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性以及提高薄膜的SI效应,在10MHz测试频率下,FeCoSiB薄膜的ΔZ/Z可达1.5%,而FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的可达8%。随着测试频率下降到1MHz时,薄膜的SI效应显著下降。; 杨国宁张万里彭斌蒋洪川张永强; 关键词：磁弹性

非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应: 磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用,这引起了人们的广泛研究兴趣。我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并在真空中退火以获得较...; 杨国宁张万里彭斌蒋洪川张文旭易朋; 文献传递

溅射气压和偏置磁场对FeSiCoB薄膜应力阻抗性能的影响: 2005年; 利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜。当偏置磁场从4800A/m增加到9600A/m时,薄膜的应力阻抗从0 5%提高到1 65%。在2Pa溅射气压和9600A/m的偏置场下,获得了1 65%的阻抗相对变化。; 谌贵辉张万里彭斌蒋洪川杨国宁; 关键词：溅射气压

FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法: 2006年; 利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了F eCoS iB薄膜,溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火。实验结果表明,F eCoS iB的应力阻抗效应与制备工艺(工作气压、溅射磁场)和退火条件(退火温度、退火时间)有着非常密切的联系。当偏置磁场从60 O e增加到120 O e时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到了1.65%。在80 O e磁场下,薄膜经300℃、40 m in退火处理后,应力阻抗效应达1.86%。; 谌贵辉张万里彭斌蒋洪川杨国宁; 关键词：溅射气压退火处理

热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响被引量：8: 2005年; 采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。; 张万里蒋洪川杨国宁彭斌张文旭张永强; 关键词：磁弹性磁场热处理

全选清除导出

共1页<1>

杨国宁