杨发强
- 作品数:7 被引量:7H指数:1
- 供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金:北京有色金属研究总院创新基金更多>>
- 相关领域:机械工程一般工业技术更多>>
- 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层硒化装置
- 本实用新型公布一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层硒化装置,属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成,两部分均用石英加工而成,并通过磨口密封。石英隔板焊接在硒化腔石英壁的中部,样品和石英坩埚放置在石英隔板上,真空...
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- 文献传递
- 一种校对真空设备温度的方法
- 本发明公开了属于真空设备温度校对技术领域的一种校对真空设备温度的方法。选择一种金属,制备标准试样,放置在加热器正中间,抽真空,加热,当标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;设定升温速率,当标准试样熔化时...
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- 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置
- 本实用新型公开一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置,属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成,两部分均用石英加工而成,并通过磨口密封。样品放置于硒化腔内的石英隔板中心的样品窗口上,冷却颈和上盖石英壁上...
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- Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池窗口层ZnO∶Al薄膜的研究被引量:7
- 2010年
- 用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜。研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响。实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35~60 mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%。Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO∶Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小。在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4Ω.cm的ZnO∶Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020cm-3、霍尔迁移率为18 cm2.V-.1s-1,可见光范围平均透过率为89%。
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- 关键词:射频磁控溅射
- 一种校对真空设备温度的方法
- 本发明公开了属于真空设备温度校对技术领域的一种校对真空设备温度的方法。选择一种金属,制备标准试样,放置在加热器正中间,抽真空,加热,当标准试样熔化时,读取热电偶示数T1,随后将标准试样冷却;设定升温速率,当标准试样熔化时...
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- 一种校对真空设备温度均匀性的方法
- 本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域;选择一种金属,制备标准试样;将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,加热,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1...
- 古宏伟屈飞杨发强杜风贞
- 一种校对真空设备温度均匀性的方法
- 本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域;选择一种金属,制备标准试样;将标准试样放置在加热器中待测区域内,抽真空,加热,当观察到标准试样熔化时,读取热电偶示数T1...
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