李祖华
- 作品数:9 被引量:11H指数:2
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- 集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型
- 2001年
- 提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。
- 田彤罗晋生吴顺君李祖华陈堂胜林金庭
- 关键词:物理模型
- 多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关
- 1997年
- 陈继义蒋幼泉陈堂胜刘琳王泉慧吴禄训李祖华
- 关键词:砷化镓功率开关
- C波段4W砷化镓功率场效应晶体管被引量:1
- 1995年
- 介绍了C波段4W砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些新工艺,给出器件性能。在5.3GHZ下,器件1dB压缩点的输出功率≥4W,增益为6.5~7.5dB,功率附加效率≥35%。这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。
- 蒋幼泉陈堂胜李祖华陈克金盛文伟
- 关键词:砷化镓离子注入功率场效应晶体管
- Ku频段3W GaAs大功率MESFET
- 1993年
- GaAs MESFET以其良好的射频特性及高的可靠性,已广泛用于卫星通信及各种电子系统中。为满足各种整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出Ku频段大功率GaAs MESFET。 器件由该所的φ50mm GaAs工艺研制线承制,运用了先进的第二代GaAs加工技术,提高了器件参数的一致性及可靠性。该器件的芯片选用标准单胞的多胞并联的标准化结构,采用φ50mm GaAs单晶片上全离子注入的全平面工艺,有源层掺杂浓度为1.7×1017cm-3,并采用稳定性好的多层/耐熔金属化结构。工艺中还采用了可控性好的干法生长与刻蚀,SiOxNy表面钝化保护,稳定性好且寄生参数小的“Г”形栅势垒,源空气桥互联,热特性好及寄生参数小的背面通孔,薄GaAs衬底和电镀热沉等先进工艺,有效地提高了芯片参数的均匀性和成品率,加快了器件的研制周期。
- 陈克金李祖华
- 关键词:场效应晶体管K波段MESFET
- 功率GaAs MESFET的热阻测试
- 1996年
- 阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。
- 贾松良袁永科李祖华
- 关键词:砷化镓场效应管热阻
- 用于移动通信的GaAs单片功率放大器
- 1997年
- 简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑和版图.该三级放大电路在800-900MHz内,小信号增益>35dB,饱和输出功率>32dBm,效率>34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺,均匀性、重复性好,工艺成品率高。
- 顾炯陈克金蒋幼泉李祖华陈堂胜
- 关键词:砷化镓单片电路功率放大器移动通信
- GaAs功率MESFET热阻测试与分析被引量:6
- 1994年
- 通过对GaAs功率MESFET的热阻分析、测试及相关热试验,促进芯片结构的优化设计和工艺控制,能有效地提高GaAs器件的可靠性,以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。
- 李祖华
- 关键词:砷化镓热阻可靠性场效应晶体管
- Ku波段高功率GaAs FET
- 1996年
- 报导Ku波段高功率GaAsFET的制造技术,包括全离子注入、0.5μm自对准栅、高可靠欧姆接触、干法生长和刻蚀、背面通孔、内匹配和合成技术。器件由两个9.6mm栅宽的芯片组成,在11.2~11.7GHz频带内,一分口增益压缩输出功率8W,增益6dB,功率附加效率24%。
- 陈克金周焕文李祖华
- 关键词:功率FET砷化镓KU波段
- GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究被引量:4
- 1997年
- 为了使GaAs微波功率FET更可靠地应用于重要微波系统,选取高可靠器件生产线生产的CS0531型器件进行加速寿命试验,并研制了专用试验设备。观察到器件n因子随着试验时间有增大的趋势,初始低频噪声值与器件突然烧毁有一定的相关性。这一结果表明低频噪声有可能成为未来评价GaAs器件可靠性的一种方法。该器件失效机构激活能2.45eV,为道温度110℃时,10年平均失效率4Fit,平均寿命75137×1011h。
- 范国华刘晓平金毓铨吴亚洁颀世惠李祖华
- 关键词:可靠性功率FET砷化镓