李柳暗
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：四川省自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- 一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法
- 本发明公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度...
- 王启亮刘正帅吕宪义李柳暗许洪新邹广田
- 一种金刚石半导体器件的制备方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及金刚石半导体器件的制备方法。本发明在金刚石籽晶的(001)晶面进行镀膜处理后，第一煅烧，在得到的预处理后的金刚石籽晶的(001)晶面依次生长高浓度硼掺杂的p型导电外延层和低浓度硼掺杂...
- 李柳暗李东帅王启亮李红东吕宪义邹广田
- 用于金刚石红外窗口的高取向疏水氧化物增透膜制备方法
- 本发明的用于金刚石红外窗口的高取向疏水氧化物增透膜制备方法属于光学薄膜制备技术领域，包括金刚石表面精密抛光、金刚石表面酸煮、磁控溅射等步骤。本发明采用高取向氧化物复合靶材制备高取向增透膜，采用低温与高温交替进行的镀膜方式...
- 李柳暗张羿明王启亮吕宪义邹广田
- 一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法
- 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％...
- 王启亮刘正帅吕宪义李柳暗牟草源许洪新邹广田
- 一种肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成...
- 李柳暗刘正帅李根壮王启亮李红东吕宪义邹广田
- GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战被引量：2
- 2023年
- 氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。
- 张彤刘树强何亮成绍恒李柳暗敖金平
- 关键词：GAN功率集成电路逻辑电路稳定性
- 微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展被引量：6
- 2023年
- 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。
- 牟草源李根壮谢文良王启亮吕宪义李柳暗邹广田
- 关键词：金刚石
- 金刚石半导体及功率肖特基二极管研究进展和挑战
- 2024年
- 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。其产业化仍需解决几个关键技术问题:大尺寸单晶外延生长、高质量晶圆制备技术、高效可控的掺杂技术及先进终端结构。首先,介绍了拼接生长以及异质外延获得大尺寸单晶衬底的研究进展。进而,综述了大尺寸单晶金刚石位错、缺陷调控技术及其加工技术的研究进展。最后,从功率器件设计及制备角度总结了金刚石掺杂及终端结构设计面临的挑战并提出了潜在的解决方案。
- 王启亮王启亮李根壮李柳暗成绍恒李柳暗李红东邹广田
- 关键词：金刚石
- 一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法
- 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％...
- 王启亮刘正帅吕宪义李柳暗牟草源许洪新邹广田
- 可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法
- 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包...
- 李柳暗付诗洋王启亮成绍恒
