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李振国

作品数:7 被引量:8H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇异质结
  • 3篇晶体管
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇放大器
  • 2篇高频
  • 2篇SIGE_H...
  • 1篇代码
  • 1篇代码检测
  • 1篇电路模型
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇语言处理
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇射频
  • 1篇射频集成

机构

  • 7篇北京工业大学

作者

  • 7篇李振国
  • 4篇高铭洁
  • 4篇陈建新
  • 3篇史辰
  • 3篇杨维明
  • 1篇邹德恕
  • 1篇王全民

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇应用数学进展

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2005
  • 2篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
2004年
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。
杨维明陈建新邹德恕史辰李振国高铭洁
关键词:异质结晶体管PSPICEMATLAB
CMOS射频接收机系统与电路被引量:1
2004年
CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术,正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数,然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。
李振国陈建新高铭洁杨维明史辰
关键词:接收机电路CMOS技术射频前端电路
安卓恶意代码检测技术的研究与实现
安卓系统使用量的增长使得各种新型恶意代码不断出现,这些恶意代码通常在未经用户允许的情况下运行在用户终端的后台。编写人员利用这些恶意代码来窃取私人信息或投放广告,严重的侵犯了用户合法权益。越来越多的研究人员开始投身于基于安...
李振国
关键词:恶意代码检测操作符自然语言处理PADDLE
文献传递
锗硅低噪声放大器的研究进展被引量:1
2005年
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况。最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景。<正>The theory of LNAs using SiGe bipolar technology is presented. And a 2GHz LNA based SiGe technology is presented in this article and state-of-the-art in SiGe based devices in different areas are described. Finally, the application of SiGe-based device was summarized.
李振国陈建新高铭洁
一种改进的更准确的混合推荐算法
2017年
推荐系统可以过滤一些无用信息,可以预测用户是否喜欢给定的资源。基于内容的推荐和协同过滤推荐算法是目前主要的个性化推荐方法。但是随着用户项目的不断增加,用户-项目评分矩阵存在着稀疏性、冷启动等问题。针对此问题,我们提出了一个独特的层叠混合推荐方法,使用评级数据,人口统计数据和特征数据来计算项目之间的相似度。实验表明我们的方法优于传统的推荐系统算法。
王全民谷实李振国王开阳孙艳峰
关键词:个性化协同过滤
高频SiGe HBT低噪声放大器的研究
近年来,随着无线通讯技术的快速发展,对高性能器件和电路的需求也大大增加。SiGe HBT 不但具有Si 器件的低成本、高集成度,而且具有GaAs 器件的高频率特性,正在被广泛应用于无线通讯、移动通讯设备中。 ...
李振国
关键词:低噪声放大器离子注入
文献传递
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量:5
2005年
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算 了器件的稳定性与工作频率之间的关系。为器件的设计和应用提供了理论依据。
杨维明陈建新史辰李振国高铭洁
关键词:锗硅合金异质结双极晶体管电路模型
共1页<1>
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