朱秉升
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 自洽法计算非晶硅的带隙态密度被引量：2
- 1989年
- 本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。
- 王广民朱秉升
- 关键词：非晶硅
- 全文增补中
- 集成脉宽调制器SG1525的计算机辅助设计
- 贾坛丽朱秉升
- 关键词：脉宽调制计算机辅助设计开关电路电源模拟电路调制器
- 超微粒SnO_2薄膜器件气敏特性的研究
- 1992年
- 本文介绍了作者采用半导体IC平面工艺技术,成功地研制出了超微粒SnO_2薄膜器件,并对该器件的氧气敏感特性作了研究,得到了该器件的主要特性参数。对其灵敏度特性曲线的研究表明:该器件不仅对低浓度氧气敏感,而且对高浓度氧气也敏感;并得到了超微粒SnO_2薄膜器件灵敏度特性所遵循的客观规律,即logR_s=0.72logC+0.85。
- 宁建华朱秉升
- 关键词：气体传感器
- 湿敏电导的机理被引量：7
- 1997年
- 从氧化物表面的吸附特点出发，认为表面ＯＨ对湿度敏感起着非常重要的作用；在此基础上解释了湿度传感器中电子电导和离子电导同时存在的微观机理，并给出它们随环境湿度变化的数学关系．理论计算得到的阻湿特性与实验结果符合得很好；
- 严百平朱秉升
- 关键词：电子电导湿敏材料氧化物半导体
- HEMT及其界面态效应的二维数值模拟
- 1991年
- 本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.
- 相奇罗晋生朱秉升
- 关键词：HEMT调制掺杂异质结界面
- Sn—SnO_x薄膜的组织结构及湿敏性
- 1996年
- 报道了一种制备Ｓｎ—ＳｎＯｘ湿敏薄膜的新工艺（ＶＥＴＯ）．首先在１ｍＰａ的真空下蒸发纯金属Ｓｎ质量分数９９９ｍｇ·ｇ－１，衬底（Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片）温度控制在１５０～２５０℃；蒸发的Ｓｎ膜在空气中缓慢氧化，即可获得湿度敏感的Ｓｎ—ＳｎＯｘ薄膜．利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了膜的晶体结构和表面形貌环境湿度ＲＨ从１１％变到９７％肘，膜阻抗变化约三个量级，膜电导是电子电导和离子电导的混合．在低温区电子电导是主要的，在高温区离子电导占优势．
- 严百平朱秉升刘道新
- 关键词：半导体薄膜
- LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究被引量：5
- 2000年
- SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
- 刘红侠郝跃朱秉升
- 关键词：LPCVD
- IC设计中晶体管直流模型参数的提取被引量：2
- 1997年
- 提出一种ＩＣ芯片设计中双极型器件直流模型参数的提取方法．采取ＧＰ模型建立双向目标函数进行全局优化提取．分１级和２级参数两层处理．１级参数系提取ＩＣ设计中各管的共同参数，２级参数则为提取与各个管的结构和尺寸相关的特定参数，尽管提取对象只是样管，但可以由模型内在关系通过程序计算出各管的特定参数．
- 邵志标向凌顶林长贵朱秉升
- 关键词：晶体管集成电路
