方晓明
- 作品数：11 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- In_(0.15)Ga_(0.85)As—GaAs应力层多量子阱中束缚子带—连续带跃迁
- 1990年
- 在10—300K温度范围,研究了稳态发光二极管(LED)辐照对15周期的In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-CaAs(15nm)应力层多量子阱的光电流谱的影响。各跃迁过程对应的光电流峰的强度随LED光强的增大而减弱,并且具有不同的变化规律。据此可区分出束缚子带和连续带间的跃迁及其亚结构,并由跃迁的能量位置,直接确定导带和价带的不连续量,得出重空穴价带的能带台阶Q_v=0.38±0.01。
- 方晓明沈学础侯宏启冯巍周均铭
- 关键词：GAAS跃迁
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
- 1993年
- 从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
- 黄醒良方晓明沈学础袁诗鑫
- 关键词：熔焊红外探测器
- n-Hg_1-_xCd_XTe的EBTV研究和LnSb扩散长度的EBIC测量
- 方晓明
- 7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器被引量：1
- 1992年
- 利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).
- 方晓明黄醒良陆卫李言谨沈学础周小川钟战天蒋健徐贵昌杜全钢牟善明李承芳周鼎新于美云余晓中
- 关键词：多量子阱红外探测器
- 几种Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格和多量子阱的光调制光谱和光电流光谱研究
- 方晓明
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究被引量：3
- 1993年
- 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
- 黄醒良方晓明陆卫沈学础李言谨袁诗鑫周小川
- 关键词：多量子阱红外探测器
- 应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究被引量：2
- 1990年
- 在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。
- 方晓明沈学础侯宏启冯巍周钧铭
- 关键词：INGAAS-GAAS应变层
- 红外光电探测器材料和器件的电子显微研究
- 陈伯良俞锦陛童裴明丁素珍沈杰方晓明王行
- 该项成果运用电子显微术针对当前红外光电探测器材料和器件领域的三元系晶件材料组分均匀性、夹杂相和微沉淀、晶体质量评价标准、表面电学特性等难题，对碲镉汞、碲锡铅、锑化铟等材料的微观性质和器件光敏特性开展了系统和深入的研究。在...
- 关键词：
- 关键词：探测器红外光电材料电子显微术
- In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的光调制反射光谱
- 1991年
- 报道了组分y=0.76和0.84的晶格匹配In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的子能带结构低温光调制反射光谱研究结果,在0.9～1.5eV光子能量范围观察到限制的电子与空穴子带间的激子跃迁,还观察到限制的电子子带与空穴连续态间的跃迁,由此比较直接地确定了价带的不连续量,得到不连续因子Q_v=0.65±0.02。
- 方晓明沈学础
- 关键词：多量子阱光调制反射光谱INGAASP
- Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究
- 1993年
- 讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。
- 黄醒良方晓明沈学础袁诗鑫
- 关键词：红外材料调速
