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徐文慧

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触

机构

  • 1篇天津工程师范...

作者

  • 1篇杨旭
  • 1篇王光伟
  • 1篇徐文慧
  • 1篇郑宏兴

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属/半导体肖特基接触模型研究进展被引量：1
2011年
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关。研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布。该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响。
王光伟郑宏兴徐文慧杨旭
关键词：肖特基接触
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