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徐天容

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇射线
  • 3篇中子
  • 3篇集成电路
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电离辐照
  • 2篇电离辐照效应
  • 2篇辐照效应
  • 2篇Γ射线
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇单片机芯片
  • 1篇芯片
  • 1篇80C196...
  • 1篇CMOS工艺

机构

  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 3篇徐天容
  • 2篇杨怀民

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇第八届全国抗...

年份

  • 3篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
80C196KC单片机中子和γ综合电离辐射效应研究
由于辐射环境存在综合性，因此选择对综合辐射效应进行研究。单片机一般为CMOS工艺，对电离辐射十分敏感，故而着重研究其综合电离辐射效应。研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对...
徐天容
关键词：单片机芯片中子CMOS工艺Γ射线大规模集成电路
文献传递
大规模集成电路中子和γ综合电离辐照效应探究
CMOS工艺的大规模集成电路对电离辐射十分敏感,但综合辐照环境下的电离效应鲜有报道.通过对80C196KC和PSD501B1两种不同的芯片开展中子和γ综合电离辐照效应试验及研究,发现在反应堆中子、γ综合辐照环境下,CMO...
徐天容杨怀民
关键词：大规模集成电路中子Γ射线电离辐照效应
文献传递
大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究被引量：3
2005年
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
徐天容杨怀民
关键词：中子射线电离辐照效应
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