徐剑芳
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程天文地球更多>>
- 循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究被引量：2
- 2011年
- 采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540nm,发光强度随激发功率线性变化.结果表明用循环氧化/退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量,可用于Ge光电子和微电子器件.
- 胡美娇李成徐剑芳赖虹凯陈松岩
- 关键词：GEOI退火光致发光谱
- ITO调制金属/n-Ge接触势垒的研究
- 锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料[1]。然而由于金属与n-Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应,使得金属与n-Ge接触势垒很高,接...
- 黄志伟毛亦琛李成陈松岩黄巍徐剑芳
- 关键词：氧化铟锡导电性能调制机理
- 文献传递
- SiGe HBT的制作与测试分析
- 现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体管（HBT）具有高频、大功率、低成本等特点，使其扩展了Si基晶体管在高频领域的应用，可以代...
- 徐剑芳
- 关键词：硅锗双极晶体管直流特性拉曼光谱
- 文献传递
- EBBA液晶的光学双稳态研究
- 1999年
- 利用光自聚焦和Ｆ－Ｐ腔两种手段，对ＥＢＢＡ液晶进行了光学双稳态研究。实验是在６０μｍ液晶薄膜中采用连续Ａｒ＋激光器进行，确定出温度与光学双稳态和多级光学双稳态回线的关系，讨论了ＥＢＢＡ液晶在固态相和液晶相及其相变过程中光学双稳态的机制。
- 周海光陈书潮徐剑芳
- 关键词：自聚焦F-P腔光学双稳液晶
- 微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用被引量：7
- 2005年
- 文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。
- 徐剑芳李成赖虹凯
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管微波大功率
- 磁控溅射生长高Sn组分GeSn合金薄膜
- 采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn组分(<0.2)非晶GeSn薄膜,在快速热退火处理后结晶为多晶Ge Sn薄膜。GeSn合金中的Sn组分越高,结晶温度相应会下降,并且较低温度的热退火处理可以减少Sn偏析...
- 张璐王一森李成陈松岩黄巍徐剑芳
- 文献传递
- 激光显微拉曼技术检测晶体管工作电流导致的器件自加热现象
- 2012年
- 随着晶体管尺寸的日益缩小,不良热效应成为晶体管失效重要原因之一。现有的检测器件热分布的手段的空间分辨率较低,不能原位直观地获得这些尺寸越来越小的晶体管的工作过程中的热分布情况。本文针对以上问题,在变温系统上探索利用激光显微拉曼光谱技术原位检测晶体管的自热效应,结果表明可以通过器件衬底上硅的一阶声子振动的拉曼谱峰频率随温度的位移的程度探测器件的温度,并测得β-FeSi2/Si二极管工作温度。该技术是一种行之有效的探测器件温度变化的手段。
- 徐剑芳赖虹凯李成
- 关键词：热效应晶体管硅
- 利用激光双光束干涉方法测量地球潮及监测地震被引量：4
- 1999年
- 本文提出利用激光双光束干涉方法研究地球潮的变化，对其测量原理和测量精度作了分析、讨论。通过对干涉条纹进行调制并计数，在激光波长为０．６３μｍ时，对２５ｍ的测量精度可达１／１００干涉级次（０．００６μｍ）。因此，在隧道中用这个方法可测地球潮。
- 周海光徐剑芳
- 关键词：地震
- 超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质
- 基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行...
- 李成胡美娇卢卫芳蔡坤煌张永徐剑芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：集成电路退火处理结构特征
- 氧等离子体预处理钝化Ge-MOS界面
- 在原子层沉积系统中采用远程氧等离子体原位预处理Ge表面生成一层高GeO2含量的GeOx钝化层,随后沉积0.5nm氧化铝和3nm氧化铪高k介质最后制备成MOS电容结构。氧等离子体预处理时间越长,GeOx钝化层中的GeO2含...
- 洪海洋李成陈松岩黄巍徐剑芳
- 文献传递
