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采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究: 2008年; 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。; 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓; 关键词：GAN 位错 X射线衍射

应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用: 本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|<0.86％)条...; 傅德颐张荣刘斌张曾谢自立修向前郑有炓; 关键词：氮化铝薄膜光学性质光学跃迁光子器件; 文献传递

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2: 2009年; 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.; 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国; 关键词：氮化铟位错局域态

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究: 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...; 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓; 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂 X射线衍射; 文献传递

m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1: 2008年; 采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.; 吴超谢自力张荣张曾刘斌李弋傅德颐修向前韩平施毅郑有炓

薄膜材料研究中的XRD技术被引量：8: 2009年; 晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。; 周元俊谢自力张荣刘斌李弋张曾傅德颐修向前韩平顾书林郑有炓; 关键词：X射线衍射应力位错密度

AlXGa1-XN/GaN异质结中的Rashba自旋劈裂: 通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级...; 李明张荣谢自力修向前张曾严文生刘斌郑有炓; 关键词：压电极化自发极化异质结薛定谔方程泊松方程; 文献传递

InN光电性质和自旋轨道耦合研究及Ⅲ族氮化物面内光学各异性调控: GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2ev到0.7eV连续变化，所对应的波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围，GaN基半导体材料已成为发展半导体光电子器件的优选材料，因此...; 张曾; 关键词：氮化铟自旋轨道耦合光电性质

n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2: 2008年; 系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表面形貌变粗糙,表面位错坑密度增加,表明了晶体质量下降.变温霍尔效应获得载流子浓度随温度的变化曲线(n^1/T),拟合得到不同Si掺杂量下,Si杂质在GaN中的电离激活能在12~22meV之间变化,它是施主波函数的相互作用增强所造成.通过研究迁移率随温度(μ~T)的关系曲线,认为载流子输运过程受不同温度下的散射机制影响.光致发光谱研究了室温下GaN薄膜带边发光和黄带,发现带边发光峰的移动是伯斯坦-莫斯效应和能带重整化效应共同作用的结果,并拟合得到了能带收缩效应系数-1.07×10-8eV/cm,指出黄带的产生和变化与不同Si掺杂浓度下Ga空位的浓度相关.; 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 关键词：N型GAN 表面形貌光致发光

采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究: 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错...; 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓; 关键词：GAN 位错 X射线衍射; 文献传递

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张曾