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张文良

作品数：8 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 5篇亚微米
  • 5篇微米
  • 4篇深亚微米
  • 4篇MOSFET
  • 4篇MOS器件
  • 3篇电压
  • 3篇电压模型
  • 3篇开启电压
  • 3篇MOSFET...
  • 2篇电路
  • 2篇电路模拟
  • 1篇电路设计
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇亚微米器件
  • 1篇载流子
  • 1篇深亚微米器件
  • 1篇退变
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应

机构

  • 8篇清华大学

作者

  • 8篇张文良
  • 5篇杨之廉
  • 1篇张炯
  • 1篇李瑞伟
  • 1篇田立林

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1994
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究被引量：1
1999年
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性的退化与栅脉冲高低电平的覆盖的范围密切相关．ＡＣ应力条件下器件退化是否增强，取决于ＡＣ应力过程是否经历了不同模式的ＤＣ应力．
张炯李瑞伟张文良
关键词：热载流子效应
深亚微米MOSFET的物理效应及开启电压模型研究
张文良
关键词：MOSFET模型开启电压物理效应
深亚微米MOSFET的解析模型研究
该课题是建立一个适用于模拟和数字电路设计的深亚微米MOSFET解析模型,其主要工作与贡献如下:1、针对深亚微米表面沟MOSFET中存在的各种物理效应,建立了表面沟MOSFET的较为完整的物理模型.该文成功地建立了一个速度...
张文良
关键词：电路设计MOSFET模型深亚微米器件电路模拟
一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型被引量：3
1999年
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致．
张文良田立林杨之廉
关键词：MOSFETIC
深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型被引量：1
1997年
本文根据MOS器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分布情况，提出了一个简单的衬底杂质分布的近似．并以此导出了非均匀掺杂下开启电压的衬偏效应模型．模型中采用了一个双曲函数解决了在不同掺杂区域的边界处，电流（或开启电压）对衬偏VBS的导数的不连续问题，并可通过调整参数δ计及实际器件中衬底掺杂的缓变过程．本文还给出一个与村偏相关的短沟道效应公式，准确地反应了深亚微米器件衬偏效应减小的现象．模型计算的结果与数值模拟的结果十分一致．
张文良杨之廉
关键词：MOS器件MOSFET
用于深亚微米埋沟 MOSFET 的开启电压模型
1998年
根据埋沟ＭＯＳＦＥＴ导电机理和开启特性，利用准二维分析，导出了一个适用于深亚微米埋沟器件的开启电压模型。它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。模型反应了较宽沟长范围内埋沟ＭＯＳＦＥＴ的开启电压与沟长及偏置的关系，并预测了在深亚微米下衬偏效应随沟长减小而减小的特性。对模型计算结果与数值模拟结果进行了比较。
张文良杨之廉
关键词：开启电压短沟道效应MOSFET
计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型被引量：1
1997年
本文提出了一个深亚微米MOSFET的开启电压的解析模型．它计入了影响开启电压的诸多二级效应，例如短沟效应、窄沟效应、漏感应势垒下降（DIBL）效应以及衬底的非均匀掺杂等效应．此外，模型还考虑了极短沟长器件的多晶硅耗尽效应．模型的计算结果和数值器件模拟的结果十分相符．
张文良杨之廉
关键词：MOS器件开启电压MOSFET
一种新的高阶连续的MOSFET模型
1998年
MOSFET模型一般使用不同的公式来描述不同的工作区，这使得在各工作区之间的过渡点上，模型的连续性受到限制．本文提出了一种简单有效的方法将各工作区用统一的公式来描述、它保持了原分区描述模型的精度。
张文良杨之廉
关键词：MOS场效应管连续性
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