您的位置： 专家智库 > >

张小雷

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：洛阳光电技术发展中心更多>>
发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇中波红外
  • 1篇晶格
  • 1篇红外
  • 1篇二极管
  • 1篇GASB
  • 1篇INAS
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇超晶格

机构

  • 1篇云南师范大学
  • 1篇洛阳光电技术...

作者

  • 1篇许林
  • 1篇郭杰
  • 1篇段剑金
  • 1篇张小雷
  • 1篇郝瑞亭

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量：2
2014年
采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。
郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林
关键词：INAS
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0