张丽平
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家重点基础研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响被引量：5
- 2009年
- 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
- 张丽平张建军张鑫孙建赵颖
- 关键词：衬底温度
- VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究被引量：2
- 2011年
- 分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。
- 敦亚琳张建军张丽平张鑫曹宇郝秋艳耿新华赵颖
- 关键词：RAMAN光谱
- 本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法
- 一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N<Sup>+</Sup>层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透...
- 张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
- 文献传递
- GeH4和GeF4制备P型微晶硅锗薄膜的研究
- 本文介绍了SiH+GeH和SiH+GeF两种反应气体系列制备p型微晶硅锗薄膜的研究结果。实验采用VHF-PECVD技术,以BH为掺杂气体,通过改变GeH和GeF的流量制备出不同锗含量的系列材料,比较两种反应气体对p型微晶...
- 张鑫张建军张丽平尚泽仁孙健耿新华赵颖
- 关键词：VHF-PECVD
- 文献传递
- 窄带隙微晶硅锗薄膜及其太阳电池应用研究
- 本文采用甚高频PECVD法,对比了SiH+GeH和SiH+GeF两种气体组合制备微晶硅锗薄膜的效果。Raman测试结果显示GeH的增加导致薄膜晶化率降低,而GeF可以促进材料的晶化。通过研究材料中的锗含量变化趋势发现,采...
- 张建军张丽平尚泽仁张鑫胡增鑫张亚萍孙建耿新华赵颖
- 关键词：光敏性太阳电池
- 文献传递
- 一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法
- 一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10<Sup>-4</Sup>Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下...
- 张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
- 文献传递
- H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜
- 2008年
- 采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.
- 张丽平张建军张鑫尚泽仁胡增鑫张亚萍耿新华赵颖
- 关键词：化学气相沉积X射线衍射
- 微晶硅锗薄膜的纵向生长及其太阳电池的研究
- 本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大后趋于稳定。通过研究证明生长籽晶...
- 张丽平张建军张鑫胡增鑫尚泽仁张亚萍张德坤孙建赵颖
- 关键词：太阳电池拉曼光谱
- 文献传递
- 微晶硅锗薄膜生长研究及其在太阳电池中的初步应用
- 微晶硅锗薄膜具有吸收系数高、带隙可调等优点,是非常有前景的叠层太阳电池的底电池有源层材料。但是,随着锗含量的增高,薄膜中的缺陷态增多、光暗电导比降低,阻碍了其在太阳电池中的实际应用。因此,本论文采用VHF-PECVD技术...
- 张丽平
- 关键词：太阳电池微结构光敏性
