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巩全成

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇贾世星
  • 1篇巩全成
  • 1篇王敏杰
  • 1篇吴璟
  • 1篇朱健
  • 1篇张勇

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术被引量：1
2008年
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。
吴璟巩全成贾世星王敏杰张勇朱健
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