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孙秋

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：海南师范大学图书馆更多>>
发文基金：海南省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金海南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇GA
  • 1篇INP
  • 1篇AS

机构

  • 1篇海南师范大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 1篇缪国庆
  • 1篇傅军
  • 1篇张铁民
  • 1篇符运良
  • 1篇孙秋
  • 1篇孙书娟

传媒

  • 1篇海南师范大学...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
研究In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP的临界厚度被引量：1
2011年
根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.
张铁民缪国庆孙秋孙书娟傅军符运良
关键词：金属有机化学气相淀积
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共1页<1>
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