唐文国
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究被引量：1
- 1995年
- 报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。与调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs系统相比,δ掺杂高电子迁移率晶体管系统载流子转移效串明显提高,但面载流子浓度对InGaAs阱的重整化效应和有效带隙的影响并不十分强烈。
- 沈文忠唐文国沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：电子迁移率INGAAS砷化镓晶体管
- 半绝缘InP的铁能级研究
- 1991年
- 本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe^3+/Fe^+)和 Fell(Fe^(4+)/Fe^(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe^(4+)是在有些半绝缘InP
- 彭承孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：INP半绝缘光致发光光谱
- 调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱结构的光致发光谱研究
- 1996年
- 报道了调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型对实验结果进行了解释.
- 沈文忠唐文国常勇李自元沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：光谱调制掺杂多量子阱结构光致发光
- δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究
- 1995年
- 报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。
- 沈文忠唐文国沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：ALGAAS砷化镓晶体管
- MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
- 1993年
- 用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
- 彭承陆叶华孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：碲化镉MOCVD生长CDTE
