吴霞宛
- 作品数：84 被引量：274H指数：9
- 供职机构：天津大学更多>>
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- 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 一种新型中温烧结微波介质陶瓷材料
- 本发明公开了一种新型中温烧结微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为ZnTiTa<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>。制备步骤：(1)配料(2)一次球磨、烘干(3)于800℃预烧、合成熔块；(4)二次球磨...
- 李玲霞廖擎玮王洪茹张志萍吴霞宛
- 文献传递
- ZnO－B_2O_3－SiO_2系统的介电性能研究被引量：5
- 1996年
- 对ＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０－４，αＣ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０－５／℃。调整各组分，获得一系列αＣ＞０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０１３Ω，αＣ＝０±３０×１０－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃。
- 吴霞宛尹萍桂东杜伟
- 关键词：氧化硼氧化硅介电性复合陶瓷
- 钽铌酸银钠陶瓷粉体的液相合成
- 2004年
- 对液相法合成钽铌酸银钠的纳米粉体进行了研究。实验表明 ,利用自制 Nb5+和 Ta5+柠檬酸盐溶液 ,在一定条件下成功地制备出具有单一物相的钽铌酸银钠粉体。该粉体颗粒细小均匀 ,颗粒尺寸为在 30～ 4 0 nm。以此粉体制备的陶瓷介质具有优良的介电性能 ,1MHz下介电常数高达 5 2 0 ,介电损耗约为 9.0× 10 - 4。
- 肖谧吴霞宛郭秀盈王洪儒陈长庆张志萍
- 关键词：纳米介质液相法
- 厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究被引量：2
- 2005年
- 利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统。由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1290℃烧结时介电常数达到5000以上,容量变化率ΔC/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1150℃),介电常数大于3600,容量变化率ΔC/C≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备。
- 李玲霞郭炜吴霞宛王洪儒张志萍余昊明
- 关键词：EMI滤波器X7R瓷料厚膜中温烧结
- 钡铝钕铋钛系相结构与电性能的定量关系
- 2001年
- 以 Ba O- Pb O- Nd2 O3- Bi2 O3- Ti O2 五元系的烧结介质瓷为研究对象探讨化合物相与介电性能的定量关系。系统的主次晶相分别为 Ba Nd2 Ti5O1 4和 Bi4 Ti3O1 2 。对系统进行 X-射线分析 ,用 X-射线衍射峰强度计算出系统中各物相的体积分数 ,再运用李赫德涅凯对数混合定则进行定量计算 ,得出系统的介电性能与用仪器实测的系统参数相符。在本研究系统中 ,X-衍射射线分析可以测定和定量表征烧结介质瓷中化合物相含量 ,经过对系统中各化合物的介电性能测定 ,可计算出所研究系统的介电性能 ,从而可作为一种介质的设计方法。
- 吴霞宛李小图李玲霞郝建民王希忠王崇峰
- 关键词：相结构电性能
- Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
- 2001年
- 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
- 郭维廉毛陆虹李树荣郑云光王静吴霞宛
- 关键词：混合模式晶体管
- 稀土元素对亚微米细晶BaTiO_3系统介电性能的影响被引量：2
- 2003年
- 研究了稀土改性添加剂La2O3及Pr6O11对亚微米级细晶BaTiO3系统介电性能的影响,此种添加剂在系统中的改性作用可产生化学非均匀性的壳 芯结构和化学均匀性系统两种情况,并且可以起到抑制晶粒生长、展宽居里峰以及改善介电性能的作用。
- 郭炜李玲霞吴霞宛王洪儒张志萍
- 关键词：亚微米稀土
- 新型中介电常数微波多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷
- 本发明公开了一种新型中介电常数微波多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷，其化学式为NiTiNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>，采用NiO、Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>和TiO<Sub...
- 李玲霞廖擎玮任翔孟庆磊吴霞宛
- 文献传递
- λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器
- 采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97...
- 郭辉郭维廉郑云光郝禄国李树荣吴霞宛
- 关键词：CMOS/SOISIGE/SI光电探测器
- 文献传递
- 添加物对Ag_2O-Na_2O-Nb_2O_5-Ta_2O_5介电性能的影响被引量：2
- 2003年
- 添加物对改善(Ag1-xNax)(Nb1-yTay)O3陶瓷系统的各项介电性能起重要的作用。该文着重讨论了改性添加物Sb2O5和矿化剂MnO2的含量对本系统性能的影响。实验表明,w(Sb2O5)对本系统损耗的影响较复杂,应控制在2.5%,而矿化剂MnO2的加入能有效改善本系统的烧结性能,w(MnO2)应控制在2.0%,这样才能将本系统的损耗有效降低至6.0×10-4。
- 陈长庆吴霞宛王鸿儒张志萍
- 关键词：介电性能添加物
