刘辅宜
- 作品数：67 被引量：284H指数：10
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院绝缘研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性及其改善途径的研究被引量：3
- 1991年
- 本文评述了ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的研究现状及直流稳定性的改善途径;从添加剂预合成对ZnO电压敏陶瓷直流稳定性的影响展开研究,发现适当配方的添加剂经预合成后,再与ZnO料混合制成的试样,直流稳定性和温度特性得到明显改善。且预合成温度愈高,改善的效果愈显著。经X射线分析发现有Zn_2SiO_4峰,且强度随添加剂预合成温度提高而增大。文章从玻璃体形成观点分析了ZnO电压敏陶瓷稳定性得以改善的原因,认为添加剂预合成促进了致密的玻璃相在晶界附近的形成,有效地阻止了可动离子在外加电场作用下的迁移,从而改善了ZnO电压敏陶瓷的直流稳定性。
- 张美蓉刘辅宜刘子玉
- 关键词：ZNO压电陶瓷材料
- PTC陶瓷掺杂高分子PTC材料的研究被引量：4
- 2001年
- 研究了 PTC陶瓷粉末掺杂高分子 PTC材料的电性能 ,发现掺杂后复合材料的室温体积电阻率降低、PTC强度增加。这为解决高分子 PTC材料中室温体积电阻率高与 PTC强度低的矛盾提供了一条新的途径。同时发现绝缘高介陶瓷粉末对高分子 PTC材料也有改善作用。另外 ,辐照交联可以很好地增加材料的 PTC强度和降低 NTC强度。对实验现象从理论上进行了定性分析。
- 储九荣刘辅宜徐传骧
- 关键词：掺杂辐照交联电性能
- 氧化锌压敏陶瓷几何效应的统计法研究被引量：10
- 1997年
- 本文实验研究了ZuO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强E1mA变化率的几何效应．对ZuO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正态分布．建立了微观结构模型，计算机模拟得到的击穿几何效应规律与实验规律相同．临界厚度dc与方差σ2和平均晶粒尺寸μ的乘积成正比．
- 李盛涛刘辅宜贾广平
- 关键词：陶瓷氧化锌陶瓷压敏陶瓷
- 氧化锌半导电粉料的研究被引量：1
- 1999年
- 以ＺｎＯ粉料为主体，添加多种金属氧化物粉料，通过混料，高温热处理，研磨过筛，测试伏安特性，探索半导化程度和添加物对电阻率的影响，得到一种ＺｎＯ半导电粉料，可用于大电机线棒防晕半导漆的填料。
- 任文娥于钦学刘辅宜
- 关键词：金属氧化物氧化锌
- Zno陶瓷主晶相晶粒生长发育过程的研究被引量：1
- 1996年
- 通过对ＺｎＯ陶瓷中晶粒的生长发育过程的详细研究，结果发现烧成初期，在较大粉粒与较小粉粒间表面能差的作用下，首先形成许多原始ＺｎＯ粉粒聚集体，粉粒的聚集中心是其附近较大的ＺｎＯ粉粒．粉粒聚集体是ＺｎＯ晶粒的雏形，其中存在许多不规则的微界面，相邻聚集体之界面则是原始的晶界．随烧结温度升高，晶粒不断长大，晶粒中的微界面趋于消失．文中提出了新的ＺｎＯ晶粒生长模型，即晶粒的生长发育经历了２个阶段：１是粉聚集体形成阶段；２是晶粒长大阶段．
- 宋晓兰刘辅宜张海恩
- 关键词：氧化锌陶瓷晶粒聚集体主晶相
- TiO_2电容、压敏复合功能材料研究被引量：8
- 1994年
- 通过掺杂Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２等多种添加剂，研究了ＴｉＯ＿２电容、压敏复合功能材料。这种材料既有大电容特性，又有压敏电阻的功能。基于半导体陶瓷的双肖特基势垒模型，本文还从理论上对这种复合功能材料的压敏、电容特性进行了分析，得到的非线性系数和表现介电常数的理论值能较好地与实验结果相一致。本文的实验结果与理论分析对于进一步研究功能陶瓷材料等具有十分重要的意义。
- 张卫武明堂刘辅宜
- 关键词：压敏电阻电容肖特基势垒功能材料
- 氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系被引量：13
- 1996年
- 采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律．利用光学显微方法，观测试样微观结构，并用ＺｎＯ晶粒长度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性．研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶粒尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比．建立了宏观电性能与微观结构特征参数的对应关系．
- 李盛涛刘辅宜贾广平
- 关键词：氧化锌陶瓷微观结构压敏陶瓷击穿
- 氢氧化铝对硅橡胶耐漏电起痕性影响规律的研究被引量：14
- 1998年
- 系统研究了氢氧化铝含量及微粉粒径对硅橡胶耐漏电起痕性能的影响规律，探讨了提高该性能的机理。综合研究氢氧化铝对硅橡胶电气性能和物理机械性能的影响后，得出了氢氧化铝填料的最佳含量和粒径要求。
- 王友功张照前刘辅宜
- 关键词：硅橡胶护套氢氧化铝复合绝缘材料
- Bi<,2>O<,3>粒度对ZnO压敏电阻片电气性能的影响
- 研究了初始平均粒径分别为４．０、１．１、０．５和０．１５μｍ的Ｂｉ〈，２〉Ｏ〈，３〉粉末对ＺｎＯ压敏电阻片小电流特性、残压比以及对其微观结构的影响。实验结果表明，当Ｂｉ〈，２〉Ｏ〈，３〉粒径增大时，微观结构均匀性提高，残...
- 胡楠李盛涛王琨刘辅宜
- 关键词：压敏电阻
- ZnO压敏陶瓷晶界势垒高度和宽度的研究被引量：22
- 2004年
- 通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度(活化能),发现它低于平衡状态时的势垒高度。在深入分析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上,认为这是在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了大量电子,这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电子陷阱(即表面态),而且还会在界面层形成自由电子空间电荷,这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的就不是平衡状态时的势垒高度,显然应低于平衡状态时的势垒高度,即导带底EC的最高点与费米能级Ef的差值(通常势垒高度的定义)。另外,根据场助热激发电流的表达式,提出了新的Schottky势垒宽度的计算公式,不仅求得了高场强和低场强时的势垒宽度,而且得到了势垒宽度随温度的变化规律,发现了在320K～350K温度范围内势垒宽度下降速度最快,结合介电温谱测量,证实了在此温度区间势垒宽度的快速下降是松弛过程引起的。
- 李盛涛邹晨刘辅宜
- 关键词：ZNO压敏陶瓷势垒高度
