刘晏凤
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 无液封GaAs多晶合成技术被引量：2
- 2009年
- 利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法。开展了Φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验。采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了Φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺。通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法。
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- 6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制
- 本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明，文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问题。
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- 关键词：半绝缘砷化镓单晶材料
- 文献传递
- FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术被引量：1
- 2010年
- 研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。
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- 关键词：砷化镓单晶
