冯荣珠
- 作品数：7 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省科技攻关计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙安振峰冯荣珠
- 关键词：高功率金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列单量子阱
- 9OOnm高功率半导体激光器线阵列被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A。
- 辛国锋冯荣珠陈国鹰花吉珍
- 关键词：单量子阱材料结构
- InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列被引量：2
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙冯荣珠安振峰
- 关键词：金属有机化合物气相淀积MOCVD分别限制结构单量子阱
- InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列被引量：5
- 2003年
- 用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1 0 0 0 μs的输入脉宽下 ,输出峰值功率达到 730W (77A) ,输出光功率密度为 4 87W/cm2 ,中心激射波长为 90 3nm ,光谱半宽 (FWHM )为 4 4nm。在此条件下可以稳定工作 86 0
- 辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰
- 关键词：激光技术半导体激光器金属有机化合物气相淀积二维阵列
- 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀被引量：1
- 2003年
- 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .
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- 关键词：半导体激光器阵列扫描电子显微镜
- 941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：11
- 2004年
- 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .
- 辛国锋陈国鹰花吉珍赵润康志龙冯荣珠安振峰
- 关键词：薛定谔方程应变量子阱量子阱激光器
- 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
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- 关键词：半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波MOCVD材料结构
