冉明
- 作品数：9 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件
- 本发明提供了一种在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在锗硅双极工艺中同时集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的...
- 钟怡冉明黄东王飞刘青张静裴颖李智囊
- 一种深槽隔离结构的制造方法
- 本发明的目的是解决现有的深槽隔离工艺会影响槽形貌和场氧化层的问题。为实现本发明目的而采用的技术方案是这样的，一种深槽隔离结构的制造方法，包括以下步骤：1)选取硅片，在所述硅片的表面形成ONO掩膜。2)刻蚀所述ONO掩膜，...
- 申钧冉明谭开洲崔伟杨永晖唐昭焕陈光炳钟怡刘勇刘嵘侃
- 文献传递
- 一种时钟控制信号产生电路及方法
- 本发明适用于集成电路技术领域，提供一种时钟控制信号产生电路及方法，其中，该方方法包括：对N个供电电源进行检测，得到并输出N个一一对应的第一复位信号，其中，N为大于等于2的整数；将N个所述第一复位信号转换为目标电源域内一一...
- 黄磊税国华付晓伟林涛王志宽王飞李智囊冉明常小宇汪璐
- 用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法
- 本发明提供一种用于双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，包括：在基底硅片上设置掩膜；在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口，并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽；注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔...
- 张培健陈文锁易前宁梁柳洪冉明
- 低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺被引量：5
- 2017年
- 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。
- 王飞陈俊王学毅常小宇冉明杨永晖杨伟
- 关键词：磁控溅射温度系数电阻率
- 一种新颖的600V浮空埋层结构被引量：1
- 2014年
- 提出了一种新颖的低导通电阻600V器件结构。该结构采用了掺杂深槽和分裂浮空埋层结构,可以克服普通分裂浮空埋层结构划片道边缘漏电大的问题,同时仍然保持了普通分裂浮空埋层结构具有的较低导通电阻的优势。数值仿真表明,采用这种结构的600V器件外延层比导通电阻在相同耐压下比理想平行平面结结构小43%,从73.3mΩ·cm2降低到41.7mΩ·cm2。
- 刘嵘侃谭开洲唐昭焕刘勇冉明
- 关键词：比导通电阻耐压
- 用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法
- 本发明提供一种用于双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，包括：在基底硅片上设置掩膜；在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口，并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽；注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔...
- 张培健陈文锁易前宁梁柳洪冉明
- 文献传递
- 在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件
- 本发明提供了一种在硅基自对准双极工艺中集成锗硅异质结晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在硅基自对准双极工艺中同时集成了锗硅异质结晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的情况下，利用单一制...
- 钟怡刘青王飞张静冉明黄东裴颖李智囊
- 亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
- 2016年
- 将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。
- 王学毅王飞冉明刘嵘侃杨永晖
