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黄斌

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：北方通用电子集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 2篇刻蚀
  • 2篇加速度
  • 2篇加速度计
  • 1篇电容加速度计
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇直接键合
  • 1篇制作方法
  • 1篇三明治
  • 1篇深槽刻蚀
  • 1篇特性分析
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光液
  • 1篇漂移
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇抗冲
  • 1篇抗冲击
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光

机构

  • 6篇北方通用电子...

作者

  • 6篇陈璞
  • 6篇黄斌
  • 5篇王文婧
  • 4篇陈博
  • 2篇郭群英
  • 2篇何凯旋
  • 2篇王鹏
  • 1篇吕东锋
  • 1篇徐栋
  • 1篇庄须叶

传媒

  • 6篇集成电路通讯

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
“三明治”MEMS加速度计的设计与分析被引量：1
2013年
基于体硅微机械加工技术，设计分析了一种抗冲击“三明治”电容式MEMS加速度计。利用敏感质量块与固定电极构成电容差分结构，在有效提高加速度计灵敏度的同时，减小了寄生电容的干扰，提高了加速度计的测量精度，并对悬臂梁的抗冲击性能做了仿真分析，保证了加速度计工作的可靠性。经仿真与理论计算分析表明，该加速度计在Z轴向的灵敏度为0．125pF／g，谐振频率为4．9kHz，量程为±50g，抗冲击性能可达15000g。
王鹏徐栋何凯旋王文婧陈博陈璞黄斌
关键词：电容加速度计抗冲击灵敏度
硅漂移探测器结构设计与探测特性分析被引量：3
2012年
硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，SDD）是一种通过光电效应探测光信号的器件。主要用于射线探测。在SDD的结构设计中，采用螺旋型漂移环结构作为内集成电阻分压器以形成阶梯式侧向漂移电场，采用多保护环结构来降低边缘击穿效应，减小结击穿的可能性；通过选用合适的衬底材料、螺旋型漂移环面积及掺杂离子浓度，可以获得很好的螺旋型漂移环的线性度。
王文婧陈博陈璞黄斌
关键词：保护环
ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
2011年
等离子硅深槽刻蚀中，反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量，通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进，有效的降低了等离子的反射密度和能量，大大改善了结构释放过程中底部掏蚀的不良影响，为底部掏蚀问题提供了一种可供参考的解决方案。
黄斌陈璞吕东锋郭群英
关键词：深槽刻蚀
一种悬臂梁厚度可控的制作方法被引量：1
2013年
针对湿法腐蚀加速度计悬臂梁时出现的梁厚度不均匀性问题，采取项层硅可定制的SOI材料制作出梁厚度均匀性一致的器件；采用干法刻蚀工艺减小结构开窗面积提高了产量。针对干法刻蚀中出现的负载效应和footing效应对结构层的厚度和形貌的影响问题，采用硅岛填充方式来减小负载效应；通过试验摸索了一组工艺参数，最大化减弱了footing效应，保证了器件厚度的均匀性，同时也提高了产量。
王文婧黄斌陈璞庄须叶
硅-硅直接键合技术及其在三明治电容加速度计中的应用
2013年
硅硅直接键合技术在MEMS工艺中占有极其重要的地位，特别在高精度加速度计、陀螺等复杂三维结构的实现，以及晶圆级真空封装方面都有重要应用。通过大量工艺实验，获得的最佳的键合工艺流程，可使4英寸硅片键合面积达98％。将硅硅直接键合技术应用到三明治电容加速度计中，芯片样品经测试获得了可靠的功能信号，单从灵敏度来讲，其性能已达到同类产品的先进水平。
何凯旋陈博王文婧王鹏陈璞黄斌郭群英
关键词：MEMS
化学机械抛光技术研究被引量：1
2012年
化学机械抛光技术是半导体制造工艺和MEMS制造工艺中一项重要的基础技术。化学机械抛光技术所采用的设备主要抛光设备、清洗设备、检测设备、工艺控制设备等。影响化学机械抛光速率的因素主要有磨盘温度、转速、抛光液配比、流量等。化学机械抛光技术在MEMS领域的硅片平整度、光洁度调整、硅玻键合等有着重要的应用。
陈璞黄斌王文婧陈博
关键词：化学机械抛光抛光液
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