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黄思霓

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇晶体管
  • 7篇肖特基
  • 7篇肖特基接触
  • 6篇氮化镓
  • 6篇势垒
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结场效应...
  • 5篇击穿电压
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇欧姆接触
  • 2篇电流增益
  • 2篇增益
  • 2篇栅结构
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇金属栅
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇版图
  • 2篇MOS晶体管

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇黄思霓
  • 9篇于奇
  • 7篇尹成功
  • 7篇严慧
  • 7篇罗杰
  • 7篇杜江锋
  • 5篇罗谦
  • 5篇赵子奇
  • 4篇刘斌
  • 2篇甘程
  • 2篇王向展
  • 2篇王凯
  • 2篇陈南庭
  • 2篇曾庆平

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功黄思霓严慧罗谦于奇
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
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一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时...
王向展甘程曾庆平刘斌王凯黄思霓于奇
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一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
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一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
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一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时...
王向展甘程曾庆平刘斌王凯黄思霓于奇
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GaN基HEMT热效应与耐压新结构研究
由于GaN优异的材料特性使GaN基HEMT走向实用化阶段。然而要将此技术推向更高耐压的的应用领域,以及更为恶劣的高温工作环境,器件的热可靠性及如何缓和击穿电压与导通电阻的矛盾关系成为亟待解决的关键问题。　　针对以上问题,...
黄思霓
关键词：GAN基HEMT热效应击穿电压导通电阻
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一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖...
杜江锋赵子奇尹成功罗杰黄思霓严慧罗谦于奇
文献传递
一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖...
杜江锋赵子奇尹成功罗杰黄思霓严慧罗谦于奇
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