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项神佑

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：南昌大学更多>>
发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇氧化物
  • 3篇硅片
  • 3篇硅片表面
  • 3篇复合氧化物
  • 3篇铈
  • 2篇氧化钛
  • 2篇抛光粉
  • 2篇稀溶液
  • 2篇磨细
  • 2篇壳结构
  • 2篇核壳
  • 2篇核壳结构
  • 2篇二氧化钛
  • 2篇二氧化钛负载
  • 2篇二氧化钛颗粒
  • 2篇钛
  • 1篇调节剂
  • 1篇磨料

机构

  • 6篇南昌大学

作者

  • 6篇项神佑
  • 4篇李永绣
  • 4篇周雪珍
  • 3篇李静
  • 3篇刘艳珠
  • 3篇李东平
  • 3篇周新木
  • 1篇李艳花
  • 1篇罗巍

传媒

  • 1篇稀土

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
二氧化钛负载氧化铈抛光粉的制备方法
一种二氧化钛负载氧化铈抛光粉的制备方法，是将二氧化钛粉体加入到含分散剂的去离子水中，固体浓度为100～200g/l，用氢氧化钠稀溶液调节pH值在9.5~11.5范围，超声分散1～30min，得到悬浮性能良好的浆料。在50...
李永绣项神佑周新木李静周雪珍李东平刘艳珠
TiO<sub>2</sub>及钛铈核壳结构复合氧化物的抛光性能
化学机械抛光(CMP)是超大规模集成电路制造技术(ULSI)中最佳平坦化技术。现行硅片抛光采用的研磨剂主要是纳米二氧化硅、纳米二氧化铈以及它们的复合氧化物。随着集成电路对硅基芯片表面质量要求的不断提高以及稀土抛光粉价格不...
项神佑
关键词：化学机械抛光
一种硅片化学机械抛光浆料配方
一种硅片化学机械抛光浆料配方，由二氧化钛磨料、添加剂、分散剂、pH调节剂及纯水组成；各种组分的质量百分比为：二氧化钛磨料为0.1%～5%，其粒径控制在3000nm以下；分散剂为0%～1.0%，添加剂为0.005%～0.3...
李永绣项神佑李静李东平周雪珍刘艳珠周新木
文献传递
TiO2及钛铈核壳结构复合氧化物的抛光性能
化学机械抛光(CMP)是超大规模集成电路制造技术(ULSI)中最佳平坦化技术。现行硅片抛光采用的研磨剂主要是纳米二氧化硅、纳米二氧化铈以及它们的复合氧化物。随着集成电路对硅基芯片表面质量要求的不断提高以及稀土抛光粉价格不...
项神佑
关键词：化学机械抛光
二氧化钛负载氧化铈抛光粉的制备方法
一种二氧化钛负载氧化铈抛光粉的制备方法，是将二氧化钛粉体加入到含分散剂的去离子水中，固体浓度为100～200g/l，用氢氧化钠稀溶液调节pH值在9.5～11.5范围，超声分散1～30min，得到悬浮性能良好的浆料。在50...
李永绣项神佑周新木李静周雪珍李东平刘艳珠
文献传递
超细锡铈复合氧化物的制备及其抛光性能被引量：1
2011年
以SnCl2.2H2O和Ce2(CO3)3.8H2O为原料,氨水为沉淀剂,采用湿固相机械化学法制备了不同比例的锡铈复合氧化物。研究了煅烧温度和反应物配比对最终产物相组成和粒度大小的影响,并分别评价了用于K9、ZF7玻璃的抛光性能。结果表明,复合氧化物的主晶相为立方萤石型氧化铈,次晶相为二氧化锡。随煅烧温度从800℃升高到1000℃,合成产物的结晶度提高,但抛光速率并不随之提高。具有抛光增强效果的复合氧化物是在800℃煅烧温度下合成的锡复配量超过50%的复合氧化物。达到最好抛光效果所需的Sn∶Ce的量之比与抛光玻璃有关,ZF7玻璃为5∶5,K9玻璃为6:4。
罗巍周雪珍李艳花项神佑李永绣
关键词：化学机械抛光光学玻璃
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