陈福刚
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：8
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω.cm,迁移率为0.838cm2/(V.s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.
- 周新翠叶志镇陈福刚徐伟中缪燕黄靖云吕建国朱丽萍赵炳辉
- 关键词：金属有机化学气相沉积磷掺杂
- MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
- ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体材料,具有许多优异的性能。但由于晶体中存在诸多本征施主缺陷/(如氧空位V/_o和间隙锌Zn/_i/),对受主产生高度自补偿作用,天然ZnO为n型半导体,难以实现p型转变。而ZnO薄膜...
- 陈福刚
- 关键词：MOCVD法磷掺杂氧化锌薄膜光学性质晶体生长
- 文献传递
- 掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置
- 本发明公开了掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置，其步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10<Sup>－2</Sup>Pa，然后加热衬底，用热蒸发器将固态磷源蒸发成气态，...
- 叶志镇陈福刚徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
- 文献传递
- 掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的装置
- 本发明公开了掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置，其步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10<Sup>-2</Sup>Pa，然后加热衬底，用热蒸发器将固态磷源蒸发成气态，...
- 叶志镇陈福刚徐伟中赵炳辉朱丽萍黄靖云
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