陈寅之
- 作品数：14 被引量：35H指数：5
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响被引量：5
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrAlY薄膜,并对NiCrAlY薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响。结果表明:经过真空热处理的NiCrAlY薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分数分别约为32%和50%;而未经过真空热处理直接氧化的NiCrAlY薄膜表面含有θ-Al2O3和α-Al2O3两种物相,且分布不均匀。
- 李瑶陈寅之唐永旭蒋洪川刘兴钊
- 关键词：真空热处理高温氧化
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明：随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(2...
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 一种金属基薄膜热电偶及其生产方法
- 该发明属于金属基薄膜热电偶及其生产方法。其热电偶包括待测金属基板及设于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为金属铝层、AlN层、AlN陶瓷绝缘层、热电偶薄膜电极组以及氧化铝保护层；其生产方法为待测金属基板的处...
- 蒋洪川张万里王从瑞陈寅之刘兴钊李言荣
- 文献传递
- 在合金基板上设置薄膜传感器的方法
- 该发明属于薄膜传感器领域中以待测的涡轮发动机叶片等作为基板的薄膜传感器的生产方法。包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层，金属铝的析出，溅射金属铝层，氧化处理，设置Al<Sub>2</Sub>O...
- 蒋洪川陈寅之刘治君李瑶张万里刘兴钊李言荣
- 文献传递
- 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3%,4%时,ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面;随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、载流子浓度和迁移率都降低。
- 吴勐蒋洪川陈寅之赵文雅蒋书文刘兴钊张万里
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率载流子浓度迁移率
- 功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备被引量：9
- 2011年
- 采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al_O_3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响。时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度。所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右。Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ。
- 王从瑞蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊唐磊于浩
- 关键词：时效处理SEEBECK系数
- 在合金基板上设置薄膜传感器的方法
- 该发明属于薄膜传感器领域中以待测的涡轮发动机叶片等作为基板的薄膜传感器的生产方法。包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层，金属铝的析出，溅射金属铝层，氧化处理，设置Al<Sub>2</Sub>O...
- 蒋洪川陈寅之刘治君李瑶张万里刘兴钊李言荣
- 一种金属基薄膜热电偶及其生产方法
- 该发明属于金属基薄膜热电偶及其生产方法。其热电偶包括待测金属基板及设于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为金属铝层、AlN层、AlN陶瓷绝缘层、热电偶薄膜电极组以及氧化铝保护层；其生产方法为待测金属基板的处...
- 蒋洪川张万里王从瑞陈寅之刘兴钊李言荣
- 制备工艺对ITO薄膜的电阻率及沉积速率的影响被引量：6
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡[ITO,In2O3:SnO2=90:10(质量比)]薄膜,详细探讨了溅射气氛氧氩体积比、溅射功率及溅射气压对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响。结果表明:溅射工艺参数对ITO薄膜电阻率和沉积速率的影响十分明显。随着氧氩体积比的增大,样品的电阻率显著增大,沉积速率下降;随着溅射功率的增加,ITO薄膜的电阻率先减小后略微增大,沉积速率上升;随着溅射气压升高,ITO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射气压增大到较大值时,ITO薄膜的电阻率又开始减小,而沉积速率则先上升后下降。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里彭少龙
- 关键词：射频磁控溅射ITO薄膜电阻率沉积速率
- 金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备被引量：8
- 2013年
- 采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。
- 赵文雅蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊彭少龙唐磊
- 关键词：PT热电势塞贝克系数
