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陆涛

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇溅射
  • 7篇存储器
  • 6篇叠层
  • 6篇叠层结构
  • 6篇射频溅射
  • 6篇层结构
  • 4篇氧化钒
  • 4篇氧化钒薄膜
  • 4篇离子束
  • 4篇离子束溅射
  • 3篇单极性
  • 2篇低功耗
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化铪
  • 2篇蒸发工艺
  • 2篇功耗
  • 2篇铪
  • 1篇电极
  • 1篇氧化铜

机构

  • 9篇天津理工大学

作者

  • 9篇陆涛
  • 8篇王芳
  • 8篇孙阔
  • 8篇张楷亮
  • 6篇孙文翔
  • 6篇赵金石
  • 6篇王宝林
  • 2篇胡曦文
  • 2篇武长强
  • 2篇王雨晨
  • 2篇刘凯
  • 2篇韦晓莹
  • 2篇冯玉林

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧...
张楷亮孙阔王芳陆涛刘凯武长强赵金石
文献传递
WOx-RRAM的制备及阻变机理探索
近年来，由于存储市场的巨大需求，非挥发性存储技术发展迅速，基于浮栅结构的传统Flash存储器在集成电路工艺中特征尺寸已经接近甚至达到其物理极限，发展遇到瓶颈。在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器(RRAM)以其简单的存...
陆涛
基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧...
张楷亮孙阔王芳陆涛刘凯武长强赵金石
一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
文献传递
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔韦晓莹王宝林冯玉林赵金石
文献传递
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
文献传递
一种双向限流器件及其制备方法
一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射...
张楷亮孙阔王芳王宝林孙文翔陆涛鉴肖川
文献传递
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
文献传递
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法
一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制...
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