钱开友
- 作品数：12 被引量：54H指数：3
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于MEMS器件的真空密封技术被引量：4
- 2004年
- 介绍MEMS器件中常用的键合技术和适用于真空密封与器件性能要求的特殊结构设计,以及提高和保持器件高真空环境的方法。合适的真空密封技术不仅能够保证和提高MEMS器件的性能,同时可以简化工艺步骤,降低器件成本。
- 林仰魁钱开友徐东蔡炳初
- 关键词：MEMS传感器键合技术真空密封
- 碳含量对超细硬质合金组织和性能的影响
- 本文研究了碳含量对超细硬质合金组织和性能的影响.通过改变粉末混合料中的碳含量,研究碳含量对超细硬质合金的烧结性能、晶粒长大、合金的组织结构以及机械性能的影响,研究结果表明碳对硬质合金中的WC晶粒度、烧结致密化过程、相组织...
- 王兴庆钱开友何宝山郭海亮
- 关键词：碳含量超细硬质合金晶粒长大合金组织
- 文献传递
- 碳纳米管阴极场发射压力传感器的研究
- 由于碳纳米管具有优良的机械和电学性能，已成为了世界各国科学家研究的热点。在碳纳米管的电学性能中，一个最重要的性能就是具有极其优异的场发射性能，这是由它稳定的化学性质，极小的曲率半径，高的热传导系数所决定的。本文的研究内容...
- 钱开友
- 关键词：碳纳米管场发射压力传感器真空微电子
- 文献传递
- 一种新场发射压力传感器阳极膜结构的模拟与测试被引量：1
- 2005年
- 提出了场发射压力传感器阳极变形膜的双层膜结构。计算机模拟证明这种结构与已报道的单层膜相比具有大量程与高灵敏度的优点。对这种结构的形变特性进行了实验测试,考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素,测实结果与模拟结果较为相符。
- 钱开友颜丙勇林仰魁王芸徐东蔡炳初
- 关键词：场发射压力传感器计算机模拟
- 纳米硬质合金制备工艺的研究与发展被引量：15
- 2001年
- 综述了纳米硬质合金制备工艺的研究与发展 .比较了生产纳米粉末的两种不同方法的优缺点 ,重点介绍了喷雾转化法 .实验数据表明 ,晶粒长大抑制剂的种类、加入方法对晶粒长大有很大的影响 .最后阐述了目前较流行的烧结工艺以及适用于纳米硬质合金烧结的等离子活化烧结和微波烧结 .
- 钱开友王兴庆何宝山郭海亮
- 关键词：纳米硬质合金粉末制备晶粒长大抑制剂微波烧结
- 碳含量对纳米硬质合金组织和性能的影响被引量：28
- 2002年
- 该文研究碳含量对纳米硬质合金组织和性能的影响 .通过对添加不同碳含量合金的组织观察和机械性能比较 ,发现碳对硬质合金的 WC晶粒度、相组织和机械性能都有着极其重要的影响 .研究结果表明 ,通过控制碳的含量可以控制 WC晶粒在烧结过程中的长大 .
- 钱开友王兴庆何宝山郭海亮白佳声
- 关键词：碳含量纳米硬质合金晶粒长大晶粒度相组织机械性能
- 旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试被引量：2
- 2006年
- 采用Y2O3和Ni作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管。在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜。I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能。
- 钱开友颜丙勇王芸叶枝灿徐东蔡炳初
- 关键词：旋涂法碳纳米管场发射
- 碳基场发射冷阴极材料的研究被引量：3
- 2004年
- 场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。
- 钱开友林仰魁徐东蔡炳初孙卓
- 关键词：真空微电子器件类金刚石碳纳米管场发射平板显示器
- 用于MEMS器件的真空密封技术
- 介绍MEMS器件中常用的键合技术和适应于真空密封和器件性能要求的特殊结构设计,以及提高和保持器件高真空环境的方法.合适的真空密封技术不仅能够保证和提高MEMS器件的性能,同时可以简化工艺步骤,降低器件成本。
- 林仰魁徐东钱开友蔡炳初
- 关键词：MEMS器件传感器键合工艺
- 文献传递
- 场发射硅锥阵列的干法制备与研究被引量：2
- 2006年
- 阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。
- 王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初
- 关键词：干法刻蚀RIE场发射
