- Ge_mSi_n(m=1,2;n=1～7)团簇结构与性质的密度泛函理论研究被引量：5
- 2008年
- 采用密度泛函理论（DFT）对GenSin（m=1，2；n=1～7）团簇的结构及稳定性进行了研究．在B3LYP／6-311G水平上进行了结构优化和频率分析，得到了各团簇的最低能量结构．对最稳定结构的二阶能量差分、分裂能、成键特性等性质进行了理论研究．结果表明：GemSin团簇的稳定结构与Six（s=m＋n）团簇的结构相似，相同尺寸的混合团簇原子间的成键特性非常相似，这为找到大尺寸的Ge=Si。团簇稳定结构提供了一条有效途径．电荷主要是从Ge原子转移到Si原子.在所研究的团簇中，GeSi3，GeSi6，Ge2Si2，Ge2Si5的结构较稳定．
- 刘霞王献伟赵高峰郭令举罗有华
- Na_mSi_(7-m)(m≤6)团簇的结构和电子性质的密度泛函理论研究被引量：7
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上,对NamSi7-m(m≤6)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明:m≤4时,团簇的稳定结构倾向于Na原子附着在带负电的Si7-m结构的不同位置上,Na原子成分较多时(m≥4)混合团簇的稳定几何结构发生较大的变化,且团簇中Nam的结构与单一的Nam团簇的稳定结构不同;自然电荷布居分析表明,电荷从Na原子转移到Si原子;随着Na原子成分的增加,团簇越来越容易失去电子,且团簇的稳定性也随之减弱;随着m的增加能隙出现振荡,其中Na5Si2的能隙最小,化学活性最强,Na2Si5的能隙最大,化学活性最弱.
- 刘霞赵高峰郭令举王献伟葛桂贤闫玉丽罗有华
- 关键词：密度泛函理论
- 过渡金属掺杂硅团簇的密度泛函理论研究
- 本文利用密度泛函理论研究了不同的过渡金属元素掺杂纯硅团簇的结构、电子性质及磁性。其主要内容如下：
首先介绍了团簇科学的研究现状。团簇的尺寸处于原子和宏观体系之间，本身性质具有多样性和奇异性，是实验和理论研究的一...
- 郭令举
- 关键词：密度泛函过渡金属硅团簇
- 文献传递
