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郑金成
作品数:
43
被引量:22
H指数:3
供职机构:
厦门大学
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王惠琼
厦门大学物理与机电工程学院物理...
王仁智
厦门大学物理与机电工程学院物理...
郑永梅
厦门大学物理与机电工程学院物理...
李晓军
厦门大学
蔡淑惠
厦门大学物理与机电工程学院物理...
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钙钛矿氧化物SrTiO<sub>3</sub>在有机太阳能电池中的应用
钙钛矿氧化物SrTiO<Sub>3</Sub>在有机太阳能电池中的应用,涉及一种有机太阳能电池。所述应用是将钙钛矿氧化物SrTiO<Sub>3</Sub>作为有机太阳能电池的阴极修饰层。由钙钛矿氧化物SrTiO<Sub>...
廖霞霞
齐哲
王吉政
王惠琼
郑金成
文献传递
一种锂离子电池电极材料热导率的分析和分类方法
一种锂离子电池电极材料热导率的分析和分类方法,涉及锂离子电池。锂离子电池电极材料中锂离子浓度的变化从x=0~1,0表示材料中没有锂离子,1表示电极材料是没有缺陷的电极材料,中间值表示处于两种状态之间,中间值越大,锂离子的...
郑金成
任飞
李晓军
王惠琼
文献传递
应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究
1998年
采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随衬底合金组分x单调变化.且两者的关系是非线性的.在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好.
蔡淑惠
王仁智
郑永梅
郑金成
关键词:
硫化锌
硒化锌
平均键能
三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究
被引量:2
1996年
三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分x=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMTs)、绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)和谐振隧道二极管(RTDs);组分x=0.53的三元合金异质结广泛应用于光电子的高速光电器件中。在决定量子阱、超晶格电子态的因素中,半导体异质结界面两侧价带带阶△E_v值(即valence-band offsets)
郑金成
郑永梅
王仁智
关键词:
异质结
平均键能
三元合金
一种实现材料热整流的热整流器件及其制备方法
一种实现材料热整流的热整流器件及其制备方法,涉及热整流器件。热整流器件由上方形薄膜、下方形薄膜组成,样品设在上下方形薄膜之间;上方形薄膜上设有2个方形孔,上方形薄膜的厚度小于0.1mm,2个方形孔的长度均不超过上方形薄膜...
郑金成
蔡云萍
王惠琼
文献传递
一种调控氧化物材料热导率的方法
一种调控氧化物材料热导率的方法,涉及热电材料。(1)取一片氧化物功能材料,清洗后,测量其热导率;(2)将步骤(1)中的氧化物功能材料放入抗高压的反应腔里,往反应腔中滴入H<Sub>2</Sub>O,封闭反应腔;(3)将处...
郑金成
张喨
王惠琼
李晓军
文献传递
非单调混沌神经元的电路实现
被引量:2
1997年
提出了一种非单调Hopfield型混沌神经元的电路设计,在电路中我们把轨迹状态参数的调节用可调电阻来实现,通过改变可调电阻的阻值就可以改变神经元的吸引子性质,从而可以很方便地通过实验来研究混沌神经元的动力学行为。应用该电路,我们成功地观测到了神经元的不动点、倍周期分岔和混沌现象。
陈剑勇
陈振湘
郑金成
帅建伟
关键词:
神经网络
混沌电路
电路设计
一种生物材料制备热整流元器件的方法
一种生物材料制备热整流元器件的方法,涉及热整流元器件。将天然生物材料标记好正反面,放入退火炉,设定退火温度,对生物材料进行碳化处理,将碳化处理后的样品进行机械切割,观测其截面微观结构,测量所得样品由正面到反面方向和由反面...
郑金成
李晓军
任飞
李宁
王惠琼
应用信噪比理论分析三维转动角神经网络模型的存储容量
1996年
人工神经网络是最近发展起来的十分热门的交叉学科,它涉及到生物、电子、计算机、数学和物理等学科,有着非常广泛的应用前景.本文讨论的是一类多值神经网络模型一一Q态三维转动角神经网络模型的存储容量 该模型是Hopfield神经网络模型、四态复数神经网络模型、复相角神经网络模型和多态四元数神经网络模型的推广,具有一定的理论研究价值;可以在灰度或彩色图像识别中得到应用.
郑金成
帅建伟
陈振湘
刘瑞堂
吴伯僖
关键词:
神经网络
多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移
1997年
采用LMTO-ASA能带计算方法,研究三元合金InlGa4-lAs4和InlAl4-lAs4(l=0,1,2,3,4等五个有序态)的能带结构和平均键能Em;在此基础上,将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了InxGa1-xAs/InxAl1-xAs异质结的价带偏移ΔEv(x)值.研究表明:该异质结的ΔEv(x)值随合金组分x的变化接近于线性;ΔEv(x)的理论计算值与实验结果相当符合.
郑金成
郑永梅
王仁智
关键词:
异质结
半导体
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