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赵洪超

作品数：39 被引量：16H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇会议论文
  • 11篇期刊文章
  • 5篇专利

领域

  • 16篇电子电信
  • 6篇理学
  • 5篇核科学技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇性能研究
  • 6篇射线
  • 6篇中子
  • 6篇反熔丝
  • 6篇Γ剂量率
  • 4篇电路
  • 4篇中子辐照
  • 4篇抗辐射
  • 4篇剂量率
  • 4篇核电子学
  • 3篇电离辐照
  • 3篇三端稳压器
  • 3篇稳压
  • 3篇稳压器
  • 3篇脉冲
  • 3篇蒙特卡罗
  • 3篇集成电路
  • 3篇闭锁
  • 3篇X射线
  • 3篇FPGA

机构

  • 39篇中国工程物理...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇同方威视技术...

作者

  • 39篇赵洪超
  • 21篇朱小锋
  • 17篇杜川华
  • 14篇许献国
  • 5篇詹峻岭
  • 4篇周开明
  • 3篇徐曦
  • 3篇赵刚
  • 3篇肖龙远
  • 3篇叶灿
  • 2篇余军红
  • 2篇袁国火
  • 2篇王艳
  • 2篇曾超
  • 1篇杨冠军
  • 1篇汪宏年
  • 1篇施志贵
  • 1篇李长久
  • 1篇王旭利
  • 1篇杨有莉

传媒

  • 4篇核电子学与探...
  • 3篇第九届全国抗...
  • 2篇原子能科学技...
  • 2篇信息与电子工...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇数值计算与计...
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇第八届全国抗...
  • 1篇第十二届反应...
  • 1篇全国信息与电...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇全国信息与电...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇中国工程物理...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 4篇2010
  • 7篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2005
  • 1篇2004
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
γ脉宽对电子器件瞬时辐射效应的影响
介绍电子器件的脉冲宽度效应基本原理以及脉冲宽度与辐照响应的关系、在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:-20ns、-50ns、-150ns,剂量率为106-109Gy(Si)／s下,对五种不同类型的电子器件进行了辐照试验,...
朱小锋赵洪超
关键词：核电子学脉冲宽度剂量率
文献传递
反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨
本文分析了反熔丝FPGA器件工艺结构及其γ剂量率辐射效应机理,给出了几种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应试验结果。试验结果表明,反熔丝FPGA器件γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起的,而全部样品对于γ瞬时扰动效应都...
赵洪超朱小锋杜川华袁国火
关键词：反熔丝FPGAΓ剂量率
文献传递
NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究
本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<'9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而...
朱小锋赵洪超杨有莉
关键词：剂量率存储器抗辐射加固
文献传递
抗X射线复合涂层环境适应性研究
2004年
介绍应用等离子喷涂设备制备抗 X 射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施。定量分析了复合涂层的化学成分,测量了复合涂层之间的结合力等参数,并给出了复合涂层高低温、湿热、震动等环境适应性的实验结果数据。研究结果表明,抗 X射线复合涂层可以达到实用化要求。
赵洪超徐曦詹峻岭
关键词：核电子学环境适应性热喷涂
深亚微米器件脉冲中子瞬时效应综述
本文详细介绍了脉冲中子瞬时效应国内外的研究现状及发展动态，分析了脉冲中子、稳态中子、γ、X射线、高能电子和重离子辐射效应机理的异同性，探讨了脉冲中子辐射在深亚微米器件中产生高密度缺陷的漂移、演化、湮灭过程的多尺度数值模拟...
赵洪超熊涔曾超
关键词：脉冲中子
中子屏蔽材料屏蔽效能理论计算
通过蒙特卡罗理论计算方法,运用综合考虑中子注量与中子能谱的全能谱硅位移损伤函数作为表征屏蔽材料屏蔽效能的参数,探索研究不同组分、不同厚度的中子屏蔽复合材料对典型裂变中子谱的屏蔽效能变化规律.计算结果表明,随着屏蔽体含硼量...
朱小锋许献国赵洪超
关键词：屏蔽材料中子注量中子能谱屏蔽效能蒙特卡罗
文献传递
基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金
本发明公开了基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金，包括成形工艺，所述成形工艺采用激光选区熔化成形获得钽钨合金构件，其中，对激光选区熔化成形的参数进行优化处理，获得不同结构如内填充、结构体、网格支撑、上表面、下...
朱小锋许献国肖龙远赵洪超刘珉强段丙皇
文献传递
一种反熔丝FPGA的抗辐射性能研究
简述了A1020B反熔丝FPGA的基本结构，并利用ⅥVHDL语言设计了一种触发延时电路，在反应堆、钴源和强光1号加速器上进行了抗辐射性能试验研究，试验结果表明：A1020B反熔丝FPGA具有很好的抗核辐射能力。
赵洪超余军红杜川华
关键词：Γ剂量率
文献传递
三端稳压器中子辐射特性实验研究
简要介绍了三端稳压器的中子辐射损伤的机理和辐照试验方法.重点研究了三端稳压器在不同输入电压和不同输出负载测试条件下,输出电压的中子辐照失效阈值范围.试验结果表明:不同生产厂家的同类型器件抗中子辐照能力有较大的差异,这为电...
朱小锋赵洪超叶灿
关键词：中子辐照三端稳压器
硅基三极管脉冲中子辐射效应TCAD仿真被引量：1
2020年
本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献中2N2222晶体管为对象,进行了中子辐射损伤模型与仿真方法的验证,结果表明辐射退火完成后2N2222基极电流和集电极电流计算结果与文献报道的实验结果一致,证明了该仿真方法的正确性.
段丙皇熊涔陈泉佑赵洪超
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