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谢世健

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:东南大学更多>>
相关领域:电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇电源
  • 2篇电源功率
  • 2篇栅控
  • 2篇智能型
  • 2篇开关电源
  • 2篇功率
  • 2篇CMOS
  • 2篇MOS集成电...
  • 2篇MOS开关
  • 1篇灯光控制
  • 1篇低压
  • 1篇电荷
  • 1篇电机
  • 1篇直接驱动
  • 1篇双极型
  • 1篇外延层
  • 1篇介质隔离

机构

  • 6篇东南大学
  • 1篇南京工学院

作者

  • 7篇谢世健
  • 3篇朱静远
  • 2篇张会珍
  • 2篇茅盘松
  • 1篇蔡世俊
  • 1篇詹娟
  • 1篇赵文霞
  • 1篇童勤义
  • 1篇张安康
  • 1篇蔡士俊

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1988
  • 1篇1981
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
BCD工艺的外延层最佳参数选择
1991年
一、引言 智能功率集成电路(SPIC)是把低压控制逻辑和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现逻辑控制,自诊断和具有过医、过热、过流以及短路、开路等保护功能。对于功率器件耐压低于100伏的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型、CMOS和DMOS的工艺兼容。在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个最重要的问题之一。因为对于智能功率集成电路中关键的功率输出DMOS管,保证足够高的源漏击穿电压BV_(DS)和尽可能低的导通阻抗R_(OD)
谢世健
关键词:外延层CMOSDMOS
智能型MOS开关电源功率集成电路
谢世健茅盘松朱静远
关键词:MOS集成电路电源电路设计开关电源
多位复合驱动器
多位复合驱动器属于半导体集成电路,它由若干个单元器件组成,每个单元器件都由一个MOS管作为输入端,一个双极晶体管作为输出端,具有体积小,功耗低的优点,不仅可以直接驱动步进电机或热敏头,而且可以直接与其它控制电路接口,有利...
詹娟张会珍蔡士俊谢世健
文献传递
MOS栅控横向晶闸管
MOS栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的PNPN层为横向结构。采用MOS管和双极型晶体管复合构成,MOS管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用MOS管的栅控制晶闸管的导通,故可以用低压数字电路直接...
谢世健张会珍朱静远
文献传递
多功能程控闪光Bi-CMOS集成电路
1993年
引言 随着人们生活水平和审美观念的提高,美化城市,美化家庭乃至个人的装饰已日益受到人们的重视。同时随着市场和商品经济的发达,不夜城的兴起,广告业的发展,这些都需要提供一种专门用于灯光控制和装饰的专用集成电路.根据市场这一预测。
谢世健单振才张安康江鸿徐征
关键词:CMOS集成电路灯光控制
栅控pn结表面效应及其应用
1981年
栅控效应即绝缘栅场效应MOS器件及集成电路的理论基础,是半导体工程中研究广泛手一个课题。pn结是整个半导体器件及集成电路的核心,尤其是双极型器件及电路赖以发展的基础,对它的研究受到最大的重视是理所当然的。但是,对于三种效应的互相结合和互相作用所产生的综合效应——栅控pn结表面效应,并没有受到应有的关注,在半导体器件尤其是大规模、超大规模集成电路迅猛发展的今天。对于这种效应的深入研究已经是势在必行的了。
童勤义谢世健董克元赵文霞蔡世俊
关键词:PN电荷
智能型MOS开关电源功率集成电路
谢世健茅盘松朱静远
关键词:MOS集成电路电源电路设计开关电源
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