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许宇庆

作品数：24 被引量：38H指数：5
供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 11篇理学
  • 5篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 4篇碳化硅
  • 4篇铁电
  • 4篇细粉
  • 4篇超细
  • 4篇超细粉
  • 3篇陶瓷
  • 3篇纳米
  • 3篇分形
  • 3篇粉末
  • 3篇TI
  • 3篇超细粉末
  • 3篇PB
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇逾渗
  • 2篇纳米级
  • 2篇金属
  • 2篇溅射
  • 2篇功率谱
  • 2篇管式

机构

  • 24篇浙江大学
  • 7篇杭州大学

作者

  • 24篇许宇庆
  • 13篇张其瑞
  • 11篇叶高翔
  • 7篇陶向明
  • 5篇王劲松
  • 4篇丁子上
  • 3篇葛洪良
  • 2篇焦正宽
  • 2篇王幼文
  • 1篇文自立
  • 1篇沙健
  • 1篇张其土
  • 1篇胡国君
  • 1篇谭明秋
  • 1篇陈南松

传媒

  • 5篇物理学报
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇浙江大学学报...
  • 2篇第四届全国固...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇真空

年份

  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 5篇1995
  • 7篇1994
  • 2篇1993
  • 4篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1987
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热化学气相合成法制备的超细碳化硅粉末的显微结构被引量：5
1992年
在高分辨电镜观察的基础上,描述了用热化学气相合成法制备的超细 SiC 粉末的组织结构,其颗粒的最外层是暴露于大气后形成的吸附层,次外层是非晶的 SiC,内部是β型 SiC 微晶,微晶组态往往呈环状排布,微晶间易形成孪晶界,也会形成多次微孪晶。颗粒中还保留了非晶和微晶的中间态,在高分辨电镜中表现为旋涡状 SiC 晶格条纹。用高分辨电镜还观察到了 Si 晶体的碳化和 SiC 在 Si 晶体上的外延生长。
王幼文许宇庆姚鸿年
关键词：碳化硅气相合成热化学陶瓷
PZT多层薄膜物性的研究被引量：1
1996年
对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析，结果表明：通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜的性能，为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts＝650℃，薄膜子层厚度约为300um，衬底则以MgO（100）单晶、SiO2（100）单晶为佳。结构分析的结果显示出：PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的电畴呈180°。通过比较可以发现，子层厚度及总厚度超薄，膜的介电常数越大，弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大，这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属－铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下，多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler－Nordheim隧穿。
陶向明谭明秋许宇庆张其瑞
关键词：铁电锆钛酸铅
化学汽相沉积法生长微晶过程中的旋涡现象
1992年
本文报道了用高分辨电子显微术(HREM)观察辉光放电汽相淀积制备的Si:H薄膜,和热化学气相合成法制备的超细SiC粉末时发现的原子密排面呈旋涡状排列的旋涡现象,描述了这种旋涡现象的结构特点,分析了旋涡结构的形成原因,及其能保留下来的条件,讨论了这种旋涡现象与微晶形核生长过程的联系。
王幼文许宇庆丁予上姚鸿年
关键词：微晶化学汽相沉积旋涡晶体生长
纳米SiC－Si_3N_4复合超细粉末的研制被引量：12
1994年
用热化学气相反应法制备了纳米级Ｓｉｃ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末。
许宇庆胡国君丁子上
关键词：陶瓷超细粉氮化硅碳化硅
沉积在α－Al＿2O＿3分形基底上Ag薄膜的特性
1994年
报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ＿２Ｏ＿３分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ＿２Ｏ＿３基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响．
许宇庆叶高翔王劲松陶向明张其瑞
关键词：银磁控溅射
铁电多层膜的制备和特性
1996年
本文首次对铁电多层膜的制备和其特性进行研究。实验结果表明，铁电多层膜中各子层厚度和制膜时工艺条件的改变对其相结构和铁电特性有明显的影响。铁电多层膜由钙钛矿相和焦绿石相所组成。当多层膜中第一、第三层的厚度为０．１５μｍ时，改变第二层的厚度，当其为０．１５μｍ时，多层膜的铁电特性为最好并且膜中钙钛矿相的含量增大。当第一、二、三层的厚度相同时，改变其厚度到０．１μｍ时，此时多层膜的铁电特性为最好并且钙钛矿相的含量增大。沉积第二层Ｐｂ（Ｚｒ０．４８Ｔｉ０．５２）Ｏ３膜时衬底温度较低时有利于其铁电特性提高，但气体压强对其影响不大。
许宇庆张其瑞陶向明陶向明
关键词：多层膜磁控溅射铁电材料
楔形薄膜逾渗系统的临界特性
1995年
报道一种楔形金属薄膜逾渗系统的制备方法和测量结果,这种新型逾渗系统具有独特的非线性I-V特性和临界规律,从实验中发现:在这一各向异性系统中,普适标度关系仍然成立,分析表明:这些特性是由于该系统中随空间坐标而变化的跳跃电导效应而引起的.
叶高翔葛洪良许宇庆焦正宽张其瑞
新型渗流系统的实验和理论研究
1993年
报导一种新型渗流系统的制备方法、测量结果和部分理论计算工作.这种多重分形渗流系统具有如下几个独特的性能:1)强烈的吸附性,在真空中和空气中测得的电阻之比可达10~2,～10~6;2)异常的非线性I-V持性;dR/dJ<0;3)对接近P_c的样品,临界电流I_c和样品电阻R(IIc时)的变化取取决于R的大小.
叶高翔许宇庆王劲松张其瑞
关键词：维度伏安特性
碳化硅超细粉末形核生长过程的研究被引量：6
1992年
用热化学气相合成法制备的超细SiC粉末的组织结构,保留了许多与形核生长过程直接有关的许多特点,为用高分辨电子显微术研究其形核生长过程提供了有利条件。据此,本文讨论了SiC超细粉末形成的主要机制——均相形核生长过程。它可分为5个主要方面:非晶相核的形成;SiC旋涡状生长及受阻;亚稳的SiC旋涡的析晶;聚结;表面非晶SiC的形成。另外,也分析了固态Si上的SiC的异相成核、外延以及固态Si的碳化过程。
许宇庆王幼文丁子上姚鸿年
关键词：碳化硅超细粉末陶瓷粉末
无规分形衬底上银薄膜的I－V特性被引量：5
1994年
在无规分形结构的ａ氧化铝陶瓷断面上，用射频溅射法镀制了银薄膜，其Ｉ－Ｖ特性在空气中呈非线性行为，而在原位真空测量中表现为开关形式的电压击穿效应。基于衬底的结构特性，作者对上述现象作了合理的解释。
王劲松叶高翔许宇庆张其瑞
关键词：银伏-安特性
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